• 擴展光刻研究的深度和廣度
• 有助于降低光刻單元的運營費用
• 縮短確定有效光刻解決方案所需的時間

    今天，專為半導體和相關產業提供制程控制及成品率管理解決方案的全球領先供應商 KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）推出了他們較新一代的 PROLITH光刻模擬軟件。PROLITH X3.1 讓處于前沿領先地位的芯片廠商、研發機構及設備制造商能夠迅速且極具成本效益地解決EUV和兩次圖像合成光刻 (DPL) 制程中的挑戰性問題，包括線邊粗糙度 (LER) 和圖形成像問題。使用 PROLITH X3.1 光刻軟件能夠簡化他們的研發，節約寶貴的光刻單元資源，并加快產品開發。

    KLA-Tencor 的制程控制信息部副總裁兼總經理 Ed Charrier 表示：“在評估 2Xnm 及以下設計的多項光刻技術方面，研發人員面臨著一項異常復雜的任務。他們必須了解制程設計互動如何影響刻印在晶圓上的圖案，包括掩膜板設計、掃描光刻機設置、晶圓表層形態和光刻膠成份的差異等影響。PROLITH X3.1 并不刻印測試晶圓，而是利用物理學基本原理來模擬圖形成像結果，以幫助研發人員研究和優化光刻制程。新 X3.1 版 的EUV 和 LER 模型只需數分鐘就能產生精確結果，使之可以大幅縮短產品開發時間。此外，這項策略還能降低掃描光刻、光刻膠處理和 CD-SEM 等機臺用于可行性實驗的時間，使得EUV 單元有更時間進行整合與測試，或光刻單元用于額外生產運行。”

    PROLITH X3.1 包括已下幾項功能，其設計目的是讓研發人員能夠經濟高效地研究不同的光刻技術：

• 它是市場上第一款考慮光的量子行為和光刻膠中的離散反應分子的隨機型產品，能夠幫助研發人員：
         -- 以數分鐘的運行時間精確模擬 LER，讓在實際的晶圓廠中研究各種制程條件對 LER 的影響成為現實；
         -- 對圖案刻印的可重復性以及對成品率的影響進行研究；
         -- 對線寬和接觸孔 CD 的一致性進行預測；
         -- 判定可用的制程窗口；以及
         -- 檢查不同的光刻膠反應加載級別如何影響刻印（例如制程窗口、CD 控制、缺陷級別），從而讓材料制造商能夠以顯著降低的成本探索光刻膠配方；
• 市場上第一款光電子模型，用于模擬 EUV 光刻制程結果；
• 直觀的晶圓表層形態設置和改善后的晶圓表層形態模型允許迅速、方便地對雙次和單次圖形成像非平面光刻層積和諸如 FinFET 等下一代非平面電子器件進行評估；
• 超過 60 個高精確度、經過校準的光刻膠模型，可供立即使用；
• 在一臺 32 位個人電腦上運行的直觀界面能夠提供迅速、精確的光刻模型，而無需升級電腦或使用超級電腦；
• 可以作為業界領先的 PROLITH 平臺的升級產品使用，提供擴展能力，以保護研發人員的現有資本投資。

    PROLITH X3.1 是 KLA-Tencor 應對先進光刻挑戰的綜合工具集中的較新產品。關于 PROLITH X3.1光刻模擬軟件如何能夠幫助研發人員經濟高效地評估先進光刻技術,請訪問產品網頁：http://www.kla-tencor.com/lithography-modeling/chip-prolith.html 。

    關于 KLA-Tencor：

    KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）是制程控制與成品率管理解決方案的領先供應商，它與全球客戶合作，開發先進的檢驗與測量技術。這些技術為半導體、數據存儲、化合物半導體、光伏及其他相關納米電子行業提供服務。公司擁有廣泛的業界標準產品系列及世界一流的工程師與科學家團隊，三十余年來為客戶努力打造優秀的解決方案。KLA-Tencor 的總部設在美國加利福尼亞州 Milpitas，并在全球各地設有專屬的客戶運營與服務中心。如需更多信息，請訪問網站 http://www.kla-tencor.com 。(KLAC-P)