全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司（納斯達(dá)克：FSII）今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR™全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA®清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶對(duì)制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了減少缺陷外，用戶們還受益于通過一步工藝縮短了總的工廠生產(chǎn)流轉(zhuǎn)周期。

“NAND 技術(shù)持續(xù)引領(lǐng)器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說道。“ZETA ViPR 擴(kuò)展到NAND制造，驗(yàn)證了先進(jìn)工藝中的全濕法去除的關(guān)鍵增值點(diǎn)——其價(jià)值只會(huì)隨著器件尺寸的不斷縮小而增加。我們?yōu)榭蛻籼峁┑倪@一種真正的差異化工藝是卓有成效的，它能夠?qū)崿F(xiàn)縮短生產(chǎn)周期、減少資本支出以及降低運(yùn)作成本。

對(duì)ZETA ViPR技術(shù)不斷提高的認(rèn)可度，源自其在大多數(shù)光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對(duì)于光刻膠的去除, 除了較極端注入情況以外，ZETA ViPR工藝實(shí)現(xiàn)的獨(dú)有化學(xué)反應(yīng)都可以單獨(dú)通過濕法化學(xué)反應(yīng)完成光刻膠去除。ViPR技術(shù)的應(yīng)用不僅省去了灰化所需時(shí)間和成本，還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對(duì)于自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后的金屬去除，ZETA ViPR工藝可有效去除未反應(yīng)的金屬，同時(shí)不損壞自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。特別是通過與非常先進(jìn)的NiPt自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝成功結(jié)合，可采用更低退火溫度來減少接面漏電，從而提高了工藝的良品率。

關(guān)于FSI：

FSI國(guó)際有限公司是一家為微電子制造提供表面處理設(shè)備技術(shù)及支持服務(wù)的全球性的供應(yīng)商。通過使用公司產(chǎn)品組合中的多晶圓批量和單晶圓的浸泡式、旋轉(zhuǎn)噴霧式、汽相和超凝態(tài)過冷動(dòng)力學(xué)等一整套清洗技術(shù)產(chǎn)品，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)他們的工藝性能、靈活性和生產(chǎn)能力目標(biāo)。公司推出的支持服務(wù)項(xiàng)目包括了產(chǎn)品及工藝的提升，從而延長(zhǎng)已安裝的FSI設(shè)備的使用壽命，使世界范圍內(nèi)的客戶的資本投資獲得更高的回報(bào)。

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