提供業界較低讀取電流的內存，適用于穿戴式裝置與助聽器

 

上海，2016年11月8日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業界較高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）^（注1）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體^（注2）合作開發的首款ReRAM存儲器產品。

 

ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20，數據擦寫上限是后者的10倍。

 

此全新產品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫療設備，例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。

 

截至目前為止，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM（鐵電隨機存儲器），以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線后，富士通可進一步擴充產品系列，以滿足客戶多樣化的需求。

 

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作，還能通過SPI接口支持較高5 MHz的工作頻率，并在讀取時僅需極低的工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，該產品擁有業界非易失性內存較低的讀取功耗。

 

此全新產品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的較高密度。

 

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫療設備，以及量表與傳感器等物聯網設備。

 

富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案，以協助客戶提升其應用的價值與便利性。

 

產品規格

組件料號：MB85AS4MT

內存密度（組態）：4 Mbit（512K字符x 8位）

界面：SPI（Serial peripheral interface）

工作電壓：1.65 – 3.6V

低功耗：讀入工作電流0.2mA（于5MHz）

寫入工作電流1.3mA（寫入周期間）

待機電流10μA

休眠電流2μA

保證寫入周期：120萬次

保證讀取周期：無限

寫入周期（256 位/頁）：16毫秒（100%數據倒置）

數據保留：10年（較高攝氏85度）

封裝：209mil 8-pin SOP

 

詞匯與備注

1.     可變電阻式內存（ReRAM）：

為非易失性內存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成，使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優點。松下半導體于2013年即開始量產配備ReRAM的微型計算機。

2.     松下電器半導體：

〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地。網址：http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

 

相關鏈接：

富士通電子網站

4Mbit ReRAM產品網站

4Mbit ReRAM“MB85AS4MT”數據表