適用于小型化且低功耗應用的非易失性內存

 

上海，2016年4月15日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出具業界較低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。

 

此FRAM產品采用I²C接口，能以較高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA；以1 MHz運行時則為80 μA。

 

除了具業界標準8引腳SOP（small outline package）之外，富士通還提供小型8引腳SON（small outline non-leaded package），其適用于低功耗小型化電子設備，例如以電池供電的可穿戴設備、測量設備及智能電表等產品。

 

富士通利用FRAM非易失性、快速寫入、高讀寫耐力及低功耗等特性，將其應用于可穿戴設備市場和IoT市場的無電池解決方案。

 

目前為了滿足低功耗市場的需求，富士通開發出其FRAM產品系列中具備較低運行電流的64 Kbit FRAM—MB85RC64T（圖1）。

 

圖1：MB85RC64T封裝

 

該產品采用I²C接口，能以1.8V至3.6V的電源電壓及較高3.4 MHz的頻率運行。其主要特性是運行時的極低平均電流（3.4 MHz時為170 μA；1 MHz時為80 μA）。與現有的富士通產品相比，其運行功耗降低近80%（圖2），為64 Kbit FRAM實現業界較低的運行功耗。

 

圖2：器件功耗比較

 

除了業界標準8引腳SOP之外，該產品還提供小型8引腳SON版本，其安裝面積約為SOP的20%（圖3）；安裝體積則為SOP的8%，適用于需要小型化的應用。

 

圖3：安裝面積比較

 

 

MB85RC64T具有小型封裝且低功耗的特性，適用于電池供電可穿戴設備、測量設備、智能電表、天然氣表、水表等設備的內存。

 

富士通將持續提供產品及解決方案，為客戶帶來更具價值且更便利的應用。

 

產品規格

器件型號：MB85RC64T

內存密度（組態）：64 Kbit（8K字符x 8位）

界面：I²C（Inter-Integrated Circuit）

運行電壓：1.8v – 3.6 v

低功耗：有效電流170 μA（3.4MHz典型值）– 80 μA（1MHz典型值）

待機電流8.0 μA（Typ）

保證讀/寫周期：10兆次

數據保留：10年（85℃時）

封裝：8引腳SON，8引腳SOP

 

相關鏈接

富士通電子網站：http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

FRAM網站： http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/memory/fram/index.html

MB85RC64T：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/lineup/i2c-64k-mb85rc64t.html

MB85RC64T數據：https://edevice.fujitsu.com/fj/DATASHEET/e-ds/MB85RC64T-DS501-00042-0v01-E.pdf