上海，2016年3月9日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜其FRAM鐵電隨機存儲器等自有產品線，以及代理產品線參加在中國上海舉行的“第十五屆慕尼黑上海電子展”（Electronica China 2016）。本次展會將于2016年3月15日至17日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。

   在本次展會上，富士通將重點展示其具有傳統優勢的FRAM鐵電隨機存儲器全系列產品，車用高性能圖形處理芯片MB86R24“Triton-C”及Triton全虛擬儀表開發套件等以及其代理的Socionext、Transphorm、Shindengen和Rubycon等公司的豐富產品線。屆時，陣容強大的工程師團隊將進行現場演示，并解答觀眾的各種問題。歡迎參觀富士通位于E2館2318號展位。富士通展出部分的產品如下：

獨具優勢的高可靠性存儲方案FRAM

與傳統存儲器比較，富士通FRAM具有高速讀寫（EEPROM的40,000倍）、高讀寫耐久性（EEPROM的1,000,000倍）和低功耗（EEPROM的1/1,000）等方面的優勢。高速讀寫確可保實時存儲，幫助系統設計者解決實時存儲數據突然斷電數據丟失的問題；高耐久性可以實現頻繁記錄操作歷史和系統狀態；低功耗主要讀寫操作功耗低。這些優勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應用領域所采用，比如計量儀表（三相電表以及水表、氣表等）、電力自動化、醫療器械及醫療電子標簽、汽車后裝設備、POS機/金融ATM機等等。此外，FRAM不僅可以作為單獨的元器件，而且還通過帶有FRAM的RFID IC進入到醫療領域。例如，RFID標簽可用于控制和鑒定醫療設備、產品和藥物。一些RFID標簽制造商和系統制造商已經把帶有FRAM的RFID標簽在醫療領域實現商用，在醫療設備和生物藥品上得到使用。在該領域，富士通FRAM更是品質保證的象征。富士通在FRAM領域耕耘超過15年，自1999年開始量產，控制著FRAM的整體開發和量產及組裝程序，加上多年的經驗，能始終保證FRAM產品的高質量和穩定供應。在本次展會上富士通將介紹FRAM全系列產品和FRAM RFID產品線。

贏得客戶青睞的汽車電子應用

代理產線之一的索喜科技的車用高性能圖形處理芯片MB86R24“Triton-C”采用ARM雙核Cortex A9 CPU，專門為車載儀表設計的獨立2D引擎（Iris）和3D引擎（Open GL），支持3路顯示輸出，較大分辨率達到1920*720，內部支持6路視頻捕捉，采用eSOL操作系統，完整的軟硬件開發平臺可以縮短開發周期。在本次展會上富士通將展示以Triton-C芯片開發的Triton全虛擬儀表開發套件。

富士通展示的另一款汽車電子應用是新電元（Shindengen）TW-78S DC/DC車載用轉換器。通過高效率化與銅基板模塊，該轉換器對輸出容量實現了超群的小型化，以及與以前封裝同等成本的模塊化。它采用可定制自產半導體，通過耐壓FET（例如420V、550V等）、防噪聲芯片達到較佳設計。由于運用了高散熱性模塊與磁性偏壓技術，具有較大電流轉換功能，能夠應對超出額定電流時瞬間超負荷。利用防止逆流回路，即使在輸入低電壓時或輕負載時，也可繼續同步整流作用。該轉換器已在Accord HEV上實現了量產。

節能減排的利器氮化鎵器件

富士通代理的Transphorm是一家設計、生產氮化鎵（GaN）功率轉換器和模塊的領導廠商，其產品應用于電源、功率適配器、馬達驅動器、太陽能轉換器以及電動車輛等領域。Transphorm符合JEDEC的制程與富士通的基礎技術進行整合后，使用富士通福島會津工廠的6寸CMOS制程生產，為硅芯片制造提供多項關鍵功能的提升，保證了GaN電源器件解決方案產品線進入可靠的量產環節。Transphorm的GaN HEMT器件采用獨有結構，除了擁有比MOSFET更快的開關性能外，還因為工作頻率的提高，降低了其電容和電阻的尺寸。更重要的是，在此提高頻率的同時，效率并不會受到影響。無論是正向導通的柵極電荷還是Qrr，Transphorm的GaN HEMT較其他產品都有明顯的優勢。得益于其優越的性能，Transphorm的GaN HEMT成為全球首款也是唯一獲得JEDEC認證的600 V GaN器件。

用途廣泛的無源元件

富士通還將展示其代理的各種無源元件，如：Relay-繼電器產品，其特點為小型，精密，高可靠性，廣泛用于車載控制，工業控制，綠色能源，以及通信行業；還有品種繁多、用途廣泛的Rubycon鋁質電解電容等。應用行業包括醫療器械、閃光燈、電子節能燈、電子整流器、電能表、通訊產品、開關電源、家用電器、光伏電源等。與同類名牌產品相比，Rubycon產品具有低阻抗、高紋波、長壽命等特點，特別適用于可靠性、穩定性方面都要求較高的電子線路。