以高速運算改善網(wǎng)絡(luò)裝置效能的非揮發(fā)性內(nèi)存

上海，2016年3月1日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功開發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速QSPI接口的全新FRAM（鐵電隨機存取內(nèi)存）產(chǎn)品MB85RQ4ML，此產(chǎn)品在同類競品中擁有較高密度和較快傳輸速度，并開始以樣品量供貨。由于其兼顧高速傳輸和FRAM的特性，因此特別適用于網(wǎng)絡(luò)建置、RAID控制器及工業(yè)運算等領(lǐng)域。

為滿足市場對FRAM接口速度提升的迫切需求，富士通目前已成功開發(fā)MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM產(chǎn)品線中擁有較高數(shù)據(jù)傳輸速度（圖一）。

圖一：采用16針腳SOP的MB85RQ4ML

此產(chǎn)品采用單一1.8V電源供應(yīng)器QSPI接口，能以108 MHz運作頻率達(dá)到每秒54 MB的數(shù)據(jù)傳輸速度。富士通以往的產(chǎn)品中，采用44針TSOP封裝且擁有16-bit并行接口的4Mbit FRAM傳輸速度較快，為每秒13 MB。而此全新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫速度領(lǐng)先前者將近四倍之高，且所用引腳數(shù)更少（圖三）。

圖二：數(shù)據(jù)傳輸率比較

其定位介于數(shù)據(jù)儲存用的高容量非揮發(fā)性內(nèi)存與高速作業(yè)內(nèi)存之間，并以高速存取及數(shù)據(jù)備份支持?jǐn)?shù)據(jù)寫入，例如必須持續(xù)寫入設(shè)定數(shù)據(jù)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，像路由器等（圖三）。

圖三：內(nèi)存于網(wǎng)絡(luò)裝置的使用案例

仰賴海量數(shù)據(jù)處理能力的物聯(lián)網(wǎng)市場，隨著數(shù)據(jù)處理量不斷增加，內(nèi)存亦必須頻繁地執(zhí)行數(shù)據(jù)改寫；此外，從安全觀點來看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑒于此，此產(chǎn)品能透過保留網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域中存取信息而促進(jìn)設(shè)備效能的改善。因此，富士通充分運用FRAM的非揮發(fā)性、高速讀寫周期、高讀寫耐用度及低功耗特性，為穿戴式市場及物聯(lián)網(wǎng)市場帶來使用FRAM的解決方案，為客戶帶來更具價值且更加便利的應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

組件料號：MB85RQ4ML

內(nèi)存密度（組態(tài)）：4Mbit（512K字符x 8位）

界面：SPI/Quad SPI

運作電壓：1.7 – 1.95伏特

保證讀/寫周期：10兆次

數(shù)據(jù)保留：10年（85度時）

封裝：16針腳SOP

相關(guān)網(wǎng)址

富士通電子網(wǎng)站：http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

FRAM產(chǎn)品：http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/memory/fram/index.html

MB85RQ4ML：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/lineup/qspi-4m-mb85rq4ml.html

MB85RQ4ML數(shù)據(jù)資料：http://edevice.fujitsu.com/cgi-bin/document/document_search.cgi?LANG=EN&PARTNO=MB85RQ4ML&DOCTYPE=D02