東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
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低導通電阻可減少移動設備的傳導損失
東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO: 6502）今天宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和功率管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。
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主要特性 |
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1. |
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采用第八代工藝打造，實現低導通電阻。 |
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2. |
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采用TSON Advance封裝，具有很好的導熱性。 |
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3. |
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高雪崩電阻。 |
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主要規格 |
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產品型號 |
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封裝 |
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VDSS （V） |
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RDS（ON） （mΩ） |
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VGS=10V |
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VGS=4.5V |
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標準值 |
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較大值 |
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標準值 |
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較大值 |
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TPN2R203NC |
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TSON Advance |
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30 |
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1.8 |
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2.2 |
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2.8 |
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3.6 |
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通過以下鏈接了解該產品更多信息：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324089_37649.html
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