東芝為ARM內(nèi)核微控制器開發(fā)高速NANO FLASH(TM)-100閃存

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司已經(jīng)基于其較初的NANO FLASH™，為嵌入式微控制器開發(fā)出訪問(wèn)速度更快的NANO FLASH™-100閃存。

開發(fā)背景：

嵌入式微控制器的豐富功能和高速性能需要更多訪問(wèn)速度更快的閃存。在意識(shí)到這一需求后，東芝開發(fā)了融合兩大特性，即基于NAND閃存單元設(shè)備技術(shù)的高速編程和NOR閃存電路技術(shù)的NANO FLASH™。隨后，東芝將這一高端性能帶給其獨(dú)創(chuàng)的微控制器和ARM內(nèi)核微控制器。如今，隨著越來(lái)越多的用戶使用ARM內(nèi)核微處理器，市場(chǎng)上開始需求速度更快的大內(nèi)存容量。NANO FLASH™-100便非常適合該市場(chǎng)。

特性：

• 隨機(jī)訪問(wèn)頻率為業(yè)界較高的100MHz（見(jiàn)注1）時(shí)，新開發(fā)的NANO FLASH™-100的等待周期為零。這就讓ARM微處理器的內(nèi)核能夠充分利用需要高速、大容量?jī)?nèi)存應(yīng)用的出色性能和代碼密度。
• 通過(guò)利用NANO FLASH™微控制器的超低功耗技術(shù)，就可開發(fā)出多種高速、低功耗應(yīng)用。

繼其首款NANO FLASH™-100產(chǎn)品TMPM440F10XBG之后，東芝將推出更多基于ARM內(nèi)核的產(chǎn)品，并將一如既往地為嵌入式微控制器積極開發(fā)閃存技術(shù)。

注1：根據(jù)東芝對(duì)嵌入式微控制器閃存所做的研究（截至2013年1月）

注2：ARM和Cortex是ARM Limited在歐盟和其他國(guó)家的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

注3：NANO FLASH是東芝公司的商標(biāo)。

關(guān)于東芝

東芝是一家全球領(lǐng)先的多元化制造商、解決方案提供商以及先進(jìn)電子電器產(chǎn)品營(yíng)銷商。東芝集團(tuán)的創(chuàng)新和成像業(yè)務(wù)非常廣泛，包括：數(shù)碼產(chǎn)品，包括LCD電視、筆記本電腦、零售解決方案和多功能一體機(jī)(MFP)；電子產(chǎn)品，包括半導(dǎo)體、存儲(chǔ)產(chǎn)品和材料；工業(yè)和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，包括發(fā)電系統(tǒng)、智能社區(qū)解決方案、醫(yī)療系統(tǒng)以及扶手電梯和升降機(jī)；以及家用電器。

東芝成立于1875年，如今運(yùn)營(yíng)有一個(gè)由550多家各級(jí)公司組成的全球網(wǎng)絡(luò)，在全球擁有202,000名員工，年銷售額逾6.1萬(wàn)億日元（約合740億美元）。請(qǐng)?jiān)L問(wèn)東芝網(wǎng)站：www.toshiba.co.jp/index.htm

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