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基于MCU和ASIC的LED可控硅調光方案對比與解析

2011年07月18日17:30:36 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:半導體 

作者:鐘巖      FAE 世強電訊

作為一種新的、較有潛力的光源,LED照明以其節能、環保的優勢越來越受到人們重視。加上國家和地方政府的政策鼓勵,我國的LED照明產業進入了加速發展階段,運用市場迅速增長。在室內照明方面,用LED燈替代傳統的可調光白熾燈或者鹵素燈也將是大勢所趨。由于傳統的白熾燈調光器采用可控硅調光器,用LED燈替代白熾燈時,要求不能改變原有線路,還要能適應現有的可控硅調光器。針對這一目標市場,目前很多大的半導體廠商(包括國際知名半導體廠商)都已經推出了自己的LED調光ASIC,但由于LED固有的發光原理,目前市面上的LED ASIC調光案都還不是很成熟,都有其固有的問題,本文就將針對目前的調光方案做一個詳細的分析,并介紹我們基于MCU的調光方案。

1 LED的發光特性
目前的新技術使LED能夠達到很高的功率水平,LED的功率能夠達到1W,甚至有些達到5W,光效達到60-85LM/W,這種LED設備稱為高亮LED(HB-LED)。目前我們用在照明上LED都是HB-LED,一般都是選擇1W的LED通過串并聯的方式組成大功率LED燈,尤其以串聯為主。這種LED的為3.4V±2%,正向電流為350mA左右。其-曲線如圖1.1所示。

圖1.1 LED — 曲線
從圖1中可以看出,當加在LED兩端的電壓沒有達到3.4V之前, 隨著的增加而增加。當加在LED兩端的電壓達到3.4V時,的變化很小,增加LED兩端的電壓只會增加流過LED的電流,從而改變LED的亮度,直到增加到LED的較大(350MA),LED達到較大亮度。而一直被箝位在 (3.4V)左右。并且會隨著溫度和LED工作時間的變化而變化,變化曲線如圖1.2所示。

圖1.2 相對變化對溫度的變化曲線
從圖1.2可以看出,隨著溫度的上升,

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