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中芯國際和常憶科技宣布推出0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 包

2009年06月02日10:10:53 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 汽車 數字 

    中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯合交易所股票代碼:981),世界領先的集成電路制造公司之一,與領先的非易失性內存產品和 IP 供應商常憶科技今日共同宣布,已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 組合包。

    基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結構專利,中芯國際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝,是芯片代工領先業者和嵌入式非揮發性記憶體專業廠商緊密合作的成果,現已全面通過認證并即將批量生產。這一工藝技術可為客戶提供高性能,符合成本效益的非揮發性記憶體解決方案,具有高耐性(多達100K 的周期)和數據保存長久(可達10年)的優勢,已通過品質驗證并達成高良率目標。

    憑借其低功耗,面積小,配置靈活的優點,0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝對客戶極具吸引力,可參與廣泛的應用,如微控制器,USB 鑰匙,智能卡,以及快速成長的汽車電子應用。客戶可將0.18微米技術作為一個起點,如已用更大的技術節點生產,也可快速切入該先進技術進行設計 。

    “由于潛在的市場規模及廣泛的應用,尤其是在中國,0.18微米嵌入式閃存工藝技術的推出具有重要意義!敝行緡H市場及業務中資深副總裁陳秋峰博士表示,“作為全球領先的代工廠商,中芯國際可提供嵌入式閃存和 EEPROM 技術以充分滿足我們客戶的需求!

    “這項先進的新技術能使客戶開發出高性能的產品并取得顯著的成本效益”,常憶科技總裁兼首席執行官王筱瑜表示!拔覀兒芨吲d與中芯國際合作,在如此短的時間內成功建立了第三代 pFLASH 平臺!

    關于中芯國際

    中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”, 紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯合交易所股票代碼:981),是世界領先的集成電路芯片代工企業之一,也是中國內地規模較大、技術較先進的集成電路芯片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術服務。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠,在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中,在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立營銷辦事處,同時在香港設立了代表處。此外,中芯代成都成芯半導體制造有限公司經營管理一座200mm 芯片廠,也代武漢新芯集成電路制造有限公司經營管理一座300mm 芯片廠。詳細信息請參考中芯國際網站 http://www.smics.com 。 

    關于 Chingis 科技公司

    Chingis 科技是一家無制造廠的半導體廠商,采用 JEDEC 標準,主營用于計算、數字產品、無線和網絡應用中的閃存和其它類型嵌入式存儲產品(如 OTP/MTP/Flash/EEPROM)。Chingis 稱得上是 P-channel 非揮發性記憶體技術方面的先驅者。1995年在美國加州圣荷塞市,Chingis 曾以 pFLASH-Chingis 專有的 P-Channel 技術為基礎,生產出質量較好的,較耐用的低功耗非揮發性存儲器。在全球,Chingis 在計算、網絡、系統集成芯片 (SoC) 、微處理器、微控制器、電訊和植入式應用方面擁有的專利超過42個。其中 pFlash 和 pFusion 是 Chingis 科技公司的注冊商標。更多信息,敬請參閱 Chingis 公司網 http://www.chingistek.com

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