提供業(yè)界較低讀取電流的內(nèi)存，適用于穿戴式裝置與助聽器

上海，2016年11月8日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界較高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）^（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體^（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。

ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20，數(shù)據(jù)擦寫上限是后者的10倍。

此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫(yī)療設(shè)備，例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設(shè)備上有絕佳的表現(xiàn)。

截至目前為止，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM（鐵電隨機(jī)存儲器），以滿足客戶對遠(yuǎn)高于EEPROM以及串列式Flash等傳統(tǒng)非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產(chǎn)品線后，富士通可進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品系列，以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內(nèi)工作，還能通過SPI接口支持較高5 MHz的工作頻率，并在讀取時(shí)僅需極低的工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，該產(chǎn)品擁有業(yè)界非易失性內(nèi)存較低的讀取功耗。

此全新產(chǎn)品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引腳與EEPROM等非易失性內(nèi)存產(chǎn)品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的較高密度。

富士通預(yù)期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運(yùn)用在電池供電的穿戴式設(shè)備、助聽器等醫(yī)療設(shè)備，以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

富士通預(yù)期未來持續(xù)提供各種產(chǎn)品與解決方案，以協(xié)助客戶提升其應(yīng)用的價(jià)值與便利性。

產(chǎn)品規(guī)格

組件料號：MB85AS4MT

內(nèi)存密度（組態(tài)）：4 Mbit（512K字符x 8位）

界面：SPI（Serial peripheral interface）

工作電壓：1.65 – 3.6V

低功耗：讀入工作電流0.2mA（于5MHz）

寫入工作電流1.3mA（寫入周期間）

待機(jī)電流10μA

休眠電流2μA

保證寫入周期：120萬次

保證讀取周期：無限

寫入周期（256 位/頁）：16毫秒（100%數(shù)據(jù)倒置）

數(shù)據(jù)保留：10年（較高攝氏85度）

封裝：209mil 8-pin SOP

詞匯與備注

1.     可變電阻式內(nèi)存（ReRAM）：

為非易失性內(nèi)存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構(gòu)組成，使其同時(shí)擁有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點(diǎn)。松下半導(dǎo)體于2013年即開始量產(chǎn)配備ReRAM的微型計(jì)算機(jī)。

2.     松下電器半導(dǎo)體：

〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地。網(wǎng)址：http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

相關(guān)鏈接：

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4Mbit ReRAM“MB85AS4MT”數(shù)據(jù)表