較新操作電壓范圍為45到100伏，支持鋰電池管理、網絡供電、噴墨與超聲波成像的壓電驅動器，以及其它新興高速發(fā)展的應用裝置

德國埃爾夫特，2010年7月14日。 X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體（DMOS）晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶粒的成本。X-FAB將于7月27日至28日向全球提供一次免費的網絡講座,探討這些新功能，網絡講座的議題是“將業(yè)界首款0.35微米100V純晶圓代工廠工藝應用于高壓裝置” 。

X-FAB首席技術官Jens Kosch說：“隨著可再生能源越來越流行，混合動力與電動車、光電池與風力渦輪機等都需要安全高效的能源存儲管理方案。當客戶使用X-FAB較新的專業(yè)高壓工藝時,便能夠應對這些問題,以及用較低的成本應對其他一些潛力巨大的新興設備。例如我們發(fā)現鋰電池的功率管理解決方案很受關注，全球的主要汽車制造商都表現出濃厚興趣。通過X-FAB的較新HV工藝，他們就能實現更安全、更高性能的電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。”

各功能的平均成本更低

X-FAB較新改良型N類與P類DMOS晶體管門氧化物厚度為14納米或40納米，客戶根據其設備的要求有5V或12V驅動能力可選，操作電壓為55V、75V和100V。通過大幅降低導通電阻，將EEPROM功能集成到基線工藝，進行修整和程序存儲，并使用一個厚金屬層作為第三個金屬層，X-FAB已經大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的獨立5V NMOS與PMOS設備能夠操作于0V至 100V之間的電壓。其他設備改良包括肖特基(Schottky)二極管、20V與100V高壓電容，以及雙極晶體管。

供應情況

以上的所有功能與設備目前已經作為X-FAB的0.35微米高壓工藝產品（XH035）的一部分推出。

X-FAB簡介

X-FAB是業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓代工廠集團，致力于模擬-數字集成電路(混合信號集成電路)硅晶圓生產。X-FAB在德國愛爾福特和德累斯頓、美國德克薩斯州拉伯克和馬來西亞沙撈越州古晉設有晶圓生產工廠，在全球擁有約2400名員工。所有晶圓均采用技術規(guī)格為1.0-0.18微米的CMOS和BiCMOS高級模塊制造，主要應用于汽車、通信、消費電子和其他工業(yè)領域。更多詳情，請登錄www.xfab.com。