三洋半導(dǎo)體于2009年7月17日上市了與該公司原產(chǎn)品相比封裝面積減小80％、耗電量降低55％的雙極晶體管“ECH系列”（圖1、2）。封裝面積為2.9mm×2.8mm。在該尺寸的產(chǎn)品中，“耗電量業(yè)界較低”（該公司）。主要面向便攜產(chǎn)品、平板顯示器和太陽(yáng)能電池等的電流電路。

圖1：三洋半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的雙極晶體管的新產(chǎn)品（右）和原產(chǎn)品（左）

圖2：新產(chǎn)品（右）和原產(chǎn)品（左）的發(fā)熱比較

圖3：“夾焊(Clip Bonding)”方式的概要

圖4：“MBIT-W”工藝的概要

　　為了降低耗電量，該公司分別改進(jìn)了封裝和芯片。封裝方面，采用了通過(guò)銅引線連接的“夾焊(Clip Bonding)”而非線焊（Wire Bonding），從而將外形電阻減少了80％（圖3）。芯片方面，采用了三洋半導(dǎo)體自主開(kāi)發(fā)的技術(shù)——基于雙層電極構(gòu)造的“MBIT-W（Multi-Base Island Transistor -Wireless）”工藝，擴(kuò)大了芯片的有效工作范圍（圖4）。

　　此次上市的產(chǎn)品包括NPN型的“ECH8201”和“ECH8202”以及PNP型的“ECH8101”和“ECH8102”。ECH8201的耐壓（集電極與發(fā)射極間的較大電壓）為＋50V，較大集電極電流為10A。ECH8202的耐壓為＋30V，較大集電極電流為12A。容許損耗為1.6W。此外，還備有與MOS FET一體化的“ECH8901”。

　　所有產(chǎn)品均從2009年7月開(kāi)始樣品供貨。樣品價(jià)格較低為50日元。預(yù)定從2009年8月開(kāi)始量產(chǎn)，月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)。