緊湊型50V晶體管降低電流損耗、簡化設計

中國，北京 – 2017年6月29日 –實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強功能，并加快任務關鍵型戰術和公共安全電臺的開發速度。這些晶體管針對寬帶應用進行過輸入匹配處理，并且尺寸小巧，可以實現尺寸更小的新一代通信設備。

Qorvo基礎設施與國防產品部總裁James Klein表示：“應急響應人員必須通過多個通道進行通信，所以擁有可靠的數字、視頻、GPS等寬帶訪問能力成為必要——這一切都發生在極具挑戰性的條件下。我們的新型晶體管可在三個不同功率水平下提供更高的電壓，這一優勢較終會轉換成為功能更強、容量更大、可靠性更高的電臺。”

Qorvo是50V寬帶匹配GaN-on-SiC晶體管的唯一供應商。電壓更高的晶體管具有多種關鍵優勢，其中包括更大的輸出功率，更小的電流損耗，更高的可靠性；系統設計中要求的此類晶體管數量也更少。另外，寬帶匹配可以提高能效，從而為應急設備打造出優化的電路板設計。Qorvo今天推出的較新晶體管專門針對空間受限的任務關鍵型應用而設計，從地面移動無線電通信，到航空電子、測試儀表，應用非常廣泛。

Qorvo 提供多種高功率和高頻RF晶體管，包括GaAs pHEMT和GaN HEMT，二者均提供裸片和封裝兩種形式。有關這些產品的更多信息，請訪問：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors。

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