ATP在Flash Memory Summit推出advancedMLC (aMLC)技術
嵌入式閃存及耐用型固態硬盤 (SSD) 和 DRAM 內存領先生產商 ATP 推出其較新技術 advancedMLC(簡稱“aMLC”)。aMLC 是由 ATP 開發的一項先進的固件技術,可安裝在 ATP 的 NAND 閃存產品中,大幅度改善了這些存儲設備的耐用性及性能,同時利用主流 MLC NAND 為任何讀/寫密集型應用提供較佳成本效益解決方案。ATP 將于8月5日至7日在圣克拉拉會議中心舉行的 2014 Flash Memory Summit 516號展位上展示這項技術及相關產品。
為了滿足苛刻的工業操作需求,NAND 閃存設備必須具備耐用性及性能這兩項關鍵性指標。然而,由于 SLC NAND 閃存元件自身的成本高,系統和產品設計人員不得不做些進行折中考慮,降低這兩項指標要求。為了滿足這一用戶需求,ATP 推出了 aMLC 技術,通過執行其獨特的固件,將 MLC 的四種狀態調整為兩種狀態,顯著擴大了 NAND 閃存單元間的干擾限度。此外,與傳統的 MLC NAND 相比,aMLC 可使耐用性提高13倍多(40K P/E),寫入性能接近 SLC。對于那些要求具有競爭力的 驅動器每天寫入成本 (DWPD/Cost) 的寫入密集型應用來說,aMLC 是較佳選擇。
ATP 將于8月7日(周四)下午2點40分至3點55分在 Flash Memory Summit 上發表有關“創新可靠性 NAND 閃存解決方案選擇與配置”的演講,讓人們了解更多有關 ATP aMLC 技術及其較新的 NAND 可靠性解決方案的詳情。
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