F-RAM低能耗存儲器產品系列中的首款新型超低功耗 (ultra low power, ULP) 存儲器

世界領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布推出世界上較低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業界功耗較低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統設計開創了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。

Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存儲器的快速寫入能力與創新性IC設計相結合，讓我們可以實現迄今為止較低功耗的非易失性存儲器，典型主動電流只有約3微安。通過采用Ramtron的低功耗F-RAM存儲器，對功耗敏感的應用如無線傳感器節點、遠程儀表、保健產品以及新興的能量收集應用等，就能夠更頻繁地寫入數量級的數據，并同時降低系統功耗。””

Ramtron 低功耗存儲器的優點隨系統寫入數據的次數更加頻繁而大大增加，與串口EEPROM不同，FM25P16能夠以總線速率執行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得FM25P16適用于同時要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非易失性存儲器應用。

關于FM25P16 低功耗存儲器

FM25P16采用先進的鐵電工藝，獲得達到100萬億 (1e14) 讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且數據能夠可靠地保存10年。FM25P16采用快速串行外設接口(SPI)，以1MHz頻率的全速總線速率運作。要獲取F-RAM 低功耗存儲器系統優勢的信息，請于 www.ramtron.com/go/FRAM-advantage

 網站內下載相關的白皮書。

特性

l        16Kb 鐵電非易失性RAM，采用2,044 x 8位結構

l        無限的讀/寫次數

l        數據保存10年

l        無延遲 (NoDelay™) 寫入

超低功耗運作

l        1.8 至 3.6V 運作電壓

l        3.2 μA (典型) 有效電流 @ 100 kHz

l        1.2 μA (典型) 待機電流

串行外設接口 - SPI

l        頻率高達1 MHz

l        SPI 模式 0 & 3

工業標準配置

l        工業溫度范圍為 -40°C至 +85°C

l        “綠色”/RoHS標準8腳 SOIC封裝

價格和供貨

Ramtron可以提供FM25P16存儲器樣品，訂購10,000個，每個FM25P16起價為0.99美元。

關于Ramtron公司和F-RAM技術

Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 公司總部設在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯，是一家無晶圓廠半導體公司，設計、開發和銷售用于世界范圍之廣泛產品應用及市場的專業半導體存儲器和集成半導體解決方案。

Ramtron是在半導體產品中采用鐵電材料的先驅企業，開發了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結合了動態隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數據儲存特性，即無電存儲數據的能力。自從這項技術商業化以來，Ramtron已經在嚴苛的應用領域銷售了數億個F-RAM器件，包括汽車安全和娛樂系統、便攜式醫療設備、工業過程控制系統、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術是市場上功效較高的非易失性存儲器技術，有望為超高效電池供電產品和能量收集應用的開發鋪平道路。

要了解更多信息，請訪問公司網站www.ramtron.com。要獲取300-dpi精度產品照片，請訪問網頁 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (參見F-RAM 低功耗存儲器產品)。

安全規避聲明

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險、不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。如要探討這些風險，請參考Ramtron提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的，Ramtron明確表示沒有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務或職責。