IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應用擴展封裝組合
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR較新的HEXFET MOSFET硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇,并帶有標準或邏輯水平柵極驅動器。這些器件只需要4mm2的占位空間,采用IR較新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列,也可以滿足我們客戶的需求,進一步縮小封裝尺寸,并結合基準硅技術。這些新器件擁有超小尺寸和高密度,非常適合于高度數字化內容相關的應用。”
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優(yōu)化的P-通道器件,帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時,新器件的厚度少于1 mm,使它們與現有的表面貼裝技術兼容,并且擁有行業(yè)標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
產品規(guī)格
組件編號 |
配置 |
BV (V) |
較大Vgs (V) |
在10V下 典型/較大RDS(on) (mΩ) |
在4.5V下 典型/較大RDS(on) (mΩ) |
在2.5V下 典型/較大RDS(on) (mΩ) |
IRFHS9301 |
單一 |
-30 |
-20 |
30/37 |
48/60 |
- |
IRLHS2242 |
單一 |
-20 |
-12 |
- |
25 / 31 |
43 / 53 |
IRLHS6242 |
單一 |
+20 |
+12 |
- |
9.4 / 11.7 |
12.4 / 15.5 |
IRLHS6342 |
單一 |
+30 |
+12 |
- |
12 / 16 |
15 / 20 |
IRFHS8242 |
單一 |
+25 |
+20 |
10/13 |
17 / 21 |
- |
IRFHS8342 |
單一 |
+30 |
+20 |
13/16 |
20 / 25 |
- |
產品現正接受批量訂單。數據及MOSFET產品選項工具已刊登于 IR 的網站 www.irf.com。
專利和商標
IR® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
- 完 -
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn。
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