亚洲精品影院一区二区-亚洲精品永久一区-亚洲精品中文一区不卡-亚洲精品中文字幕久久久久久-国产亚洲精品aaa大片-国产亚洲精品成人a在线

您好,歡迎光臨電子應用網![登錄] [免費注冊] 返回首頁 | | 網站地圖 | 反饋 | 收藏
在應用中實踐
在實踐中成長
  • 應用
  • 專題
  • 產品
  • 新聞
  • 展會
  • 活動
  • 招聘
當前位置:電子應用網 > 新聞中心 > 正文

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應用擴展封裝組合

2011年06月16日10:22:13 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR較新的HEXFET MOSFET硅技術,為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

 

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇,并帶有標準或邏輯水平柵極驅動器。這些器件只需要4mm2的占位空間,采用IR較新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

 

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列,也可以滿足我們客戶的需求,進一步縮小封裝尺寸,并結合基準硅技術。這些新器件擁有超小尺寸和高密度,非常適合于高度數字化內容相關的應用。”

 

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優(yōu)化的P-通道器件,帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時,新器件的厚度少于1 mm,使它們與現有的表面貼裝技術兼容,并且擁有行業(yè)標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

 

產品規(guī)格

組件編號

配置

BV (V)

較大Vgs (V)

10V

典型/較大RDS(on)  (mΩ)

4.5V

典型/較大RDS(on)  (mΩ)

2.5V

典型/較大RDS(on)  (mΩ)

IRFHS9301

單一

-30

-20

30/37

48/60

-

IRLHS2242

單一

-20

-12

-

25 / 31

43 / 53

IRLHS6242

單一

+20

+12

-

9.4 / 11.7

12.4 / 15.5

IRLHS6342

單一

+30

+12

-

12 / 16

15 / 20

IRFHS8242

單一

+25

+20

10/13

17 / 21

-

IRFHS8342

單一

+30

+20

13/16

20 / 25

-

 

 

 

產品現正接受批量訂單。數據及MOSFET產品選項工具已刊登于 IR 的網站 www.irf.com

 

 

專利和商標

IR® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。

 

- 完 -

 

 

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。

 

IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn

網友評論:已有2條評論 點擊查看
登錄 (請登錄發(fā)言,并遵守相關規(guī)定)
如果您對新聞頻道有任何意見或建議,請到交流平臺反饋。【反饋意見】
關于我們 | 聯系我們 | 本站動態(tài) | 廣告服務 | 歡迎投稿 | 友情鏈接 | 法律聲明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
電子應用網 京ICP備12009123號-2 京公網安備110105003345號