全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR較新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標(biāo)準(zhǔn)或邏輯水平柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件只需要4mm²的占位空間，采用IR較新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進(jìn)一步擴(kuò)展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進(jìn)一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準(zhǔn)硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用。”

這個(gè)PQFN2x2系列包括為負(fù)載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個(gè)更簡單的驅(qū)動(dòng)解決方案。同時(shí)，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選項(xiàng)工具已刊登于 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。

專利和商標(biāo)

IR^® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。

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IR簡介

國際整流器公司 (簡稱 IR，紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球較大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR 成立于 1947 年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。