全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中的較新器件FM28V100，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM，采用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數和低功耗特性。FM28V100是工業控制、儀表、醫療、汽車、軍事、游戲、計算機及其它應用領域中，由1Mb電池支持SRAM存儲器升級的理想產品。
Ramtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM28V100為Ramtron二進制寬產品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代產品，為希望在系統中省去電池或外部電容器的電池支持SRAM或NVSRAM用戶提供了簡便的升級途徑�！�
關于FM28V100
FM28V100是128K x 8非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，并可在掉電后保存數據。FM28V100提供超過10年的數據保存，能夠消除來自電池支持SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺點及設計復雜性問題。從系統中去除電池，可讓系統在更寬泛的工作溫度范圍運作，而且有利于環保。F-RAM具有快速寫入和幾乎無限的寫入耐用性，比其它類型的存儲器更加優勝。
FM28V100的系統內運作與其它RAM器件相似，可用作標準SRAM的普適型 (drop-in) 替代產品。通過轉換芯片引腳或簡單地改變地址，即可觸發讀/寫循環。F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲工藝，因而具有非易失性，適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整個工業溫度范圍工作。
關于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM產品采用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產工藝制造，可實現器件的性能提升，當中包括：
升級的存儲器性能：通過推出FM28V100，將1Mb并行存儲器的周期時間從150ns減少至90ns，較Ramtron現有的1Mb并行F-RAM存儲器提升60%。與Ramtron現有的串行F-RAM產品相比，SPI和I2C串行V系列F-RAM產品的讀/寫性能提升了二至三倍。
更低、更寬泛的工作電壓范圍：由德州儀器采用130ns F-RAM生產工藝所帶來的技術進步，F-RAM V系列現提供將F-RAM工作電壓調低至2.0V 的靈活性，讓F-RAM可在更多的電子系統中以原有的工作電壓運作。
寫入保護特性： 并行F-RAM V系列產品具有軟件控制的寫入保護功能，其存儲器陣列分為8個相同的模塊，每個模塊可在軟件控制下各自實現寫入保護，而無需更改硬件或引腳輸出(pin-out)。
器件ID：V系列中的串行F-RAM產品具有一個24位器件ID，這是Ramtron產品所獨有的，以防止產品出現偽造。
獨特的序列號：V系列中的串行F-RAM產品采用64位的序列號訂購，由一個16位客戶ID、40位獨特代碼，以及需要獨特的電子編號的8位循環冗余碼系統校驗所組成。
可定制的重置電壓：V系列串行F-RAM備有多種重置電壓，從2.14V至3.09V。
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