全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業界較小的肖特基二極管和同類較佳的空間性能。  

這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA，其中后者是業界較小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數碼相機等。

安森美半導體小信號產品分部總監兼總經理何燾(Dan Huettl)說：“我們客戶持續面對設計挑戰，要在空間受限的應用中取舍優化電路板布線與系統性能的問題。安森美半導體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極管，回應系統設計人員的訴求，優化便攜應用的電源管理。”

器件

這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場上較低，幫助設計人員解決功率損耗、效率及開關速度問題。與采用傳統塑模封裝的競爭組件相比，新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升，傲視同儕。它們的電源管理特性，也領先同類產品，有助延長便攜設備應用中的電池使用時間。

NSR0xF30NXT5G器件系列優化了正向電壓降(Vf)，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進一步突顯這系列的先進、高性能規格。NSR0xL30NXT5G器件系列設計用于低反向電流(Ir)，

在10 V反向電壓時僅為0.2微安(µA)，且泄漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度范圍為–40°C至+125°C，非常適用于苛刻室內及室外環境中的設備。

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