Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線
全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation,發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的較新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn),是工業(yè)控制、表計、醫(yī)療電子、軍事、游戲、計算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域的256 Kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲器的兼容替代產(chǎn)品。
Ramtron 市場推廣經(jīng)理Mike Peters 稱:“這兩款256 Kb V系列串口器件,具有相比上一代產(chǎn)品更低的工作電壓和更高性能,可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線,履行Ramtron對環(huán)境的承諾,提供功效更高的非易失性存儲器產(chǎn)品,同時免除對電池的依賴。”
關(guān)于FM24V02 和FM25V02
FM24V02能以較高3.4 MHz的I2C總線速度執(zhí)行寫入操作,并支持100 kHz 和400 kHz的傳統(tǒng)總線頻率。此器件無寫入延遲,而且無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。此外,F(xiàn)M24V02提供高達(dá)100萬億 (1E14)的讀/寫次數(shù),相比EEPROM高出幾個數(shù)量級。FM24V02在執(zhí)行寫操作時不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓,因而功耗也遠(yuǎn)較EEPROM為低。FM24V02工作模式耗電低于150μA (通常在100KHz下),待機(jī)模式下則為90μA,而睡眠模式耗電更低至5μA。
FM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運(yùn)作的耗電量僅為3mA,待機(jī)模式下為90μA,睡眠模式下則為5μA。FM25V02的典型運(yùn)作功耗只有 38μA / MHz,較此類的串口閃存或EEPROM產(chǎn)品耗電降低了一個數(shù)量級。
兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標(biāo)準(zhǔn)的只讀器件ID,可讓主機(jī)確定制造商、存儲容量和產(chǎn)品版本信息。它們還提供可選的獨(dú)特只讀序列號,方便確定帶有全球獨(dú)有ID的主機(jī)電路板或系統(tǒng)。較后,F(xiàn)M24V02 和 FM25V02能確保在-40°C至+85°C的溫度范圍工作,極之適合工業(yè)應(yīng)用。
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