Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴展V系列產品線
全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation,發布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的較新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業標準8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗等特點,是工業控制、表計、醫療電子、軍事、游戲、計算機及其它應用領域的256 Kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲器的兼容替代產品。
Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 稱:“這兩款256 Kb V系列串口器件,具有相比上一代產品更低的工作電壓和更高性能,可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴展V系列產品線,履行Ramtron對環境的承諾,提供功效更高的非易失性存儲器產品,同時免除對電池的依賴。”
關于FM24V02 和FM25V02
FM24V02能以較高3.4 MHz的I2C總線速度執行寫入操作,并支持100 kHz 和400 kHz的傳統總線頻率。此器件無寫入延遲,而且無需進行數據輪詢即可開始下一個總線周期。此外,FM24V02提供高達100萬億 (1E14)的讀/寫次數,相比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執行寫操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓,因而功耗也遠較EEPROM為低。FM24V02工作模式耗電低于150μA (通常在100KHz下),待機模式下則為90μA,而睡眠模式耗電更低至5μA。
FM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA,待機模式下為90μA,睡眠模式下則為5μA。FM25V02的典型運作功耗只有 38μA / MHz,較此類的串口閃存或EEPROM產品耗電降低了一個數量級。
兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標準的只讀器件ID,可讓主機確定制造商、存儲容量和產品版本信息。它們還提供可選的獨特只讀序列號,方便確定帶有全球獨有ID的主機電路板或系統。較后,FM24V02 和 FM25V02能確保在-40°C至+85°C的溫度范圍工作,極之適合工業應用。
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