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Ramtron宣布推出8-Mb并口非易失性F-RAM存儲器

2009年07月22日16:12:55 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 半導(dǎo)體 電源 

全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成式半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有訪問速度快、幾乎無限次的讀寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點。該器件與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 引腳兼容,主要針對工業(yè)控制系統(tǒng)如機器人技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)RAID存儲解決方案、多功能打印機、自動導(dǎo)航系統(tǒng),以及各種基于SRAM的系統(tǒng)設(shè)計。

Ramtron 市場推廣經(jīng)理Mike Peters 稱:“這款8-Mb F-RAM 并口存儲器,以及我們較近發(fā)布的4-Mb FM22LD16,都是設(shè)計用來滿足客戶在寫入密集型數(shù)據(jù)應(yīng)用中對更高存儲容量的需求。這兩款產(chǎn)品具引腳兼容特點,易于實現(xiàn)存儲容量升級。系統(tǒng)設(shè)計人員使用FM23MLD16,在與TSOP32 封裝相同大小的PCB空間上可將F-RAM 密度提高7倍。”

 產(chǎn)品主要特性

FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實現(xiàn)存取,訪問時間為60ns,一個訪問周期為115ns。該器件以 ‘無延遲’ (NoDelay™)的特點按照總線速度進行讀寫操作,擦寫壽命至少為1E14 (100萬億) 次,并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。

相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM),F(xiàn)M23MLD16無需電池即可進行數(shù)據(jù)備份,性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案,F(xiàn)M23MLD16無需象電池備份的SRAM那樣需要與電池相關(guān)的返工步驟,而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動能力,使F-RAM成為要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。FM23MLD16包含低電壓檢測功能,當(dāng)電源電壓低于臨界閾值時,便會阻止對存儲器的訪問。從而防止存儲器在這種情況下出現(xiàn)的不當(dāng)訪問,避免數(shù)據(jù)破壞。

此外,F(xiàn)M23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口,兼具高速頁寫模式,能以高達33MHz的速度進行8字節(jié)并發(fā)(Burst)讀寫操作。FM23MLD16器件的讀/寫工作電流為9mA,待機模式下典型電流值僅為180µA,而在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。

價格和供貨

Ramtron  現(xiàn)已提供FM23MLD16的樣品,采用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝,訂購1萬片,單價為29.23美元。

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