全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有訪問速度快、幾乎無限次的讀寫次數以及低功耗等優點。該器件與異步靜態 RAM (SRAM) 引腳兼容，主要針對工業控制系統如機器人技術、網絡RAID存儲解決方案、多功能打印機、自動導航系統，以及各種基于SRAM的系統設計。

Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 稱：“這款8-Mb F-RAM 并口存儲器，以及我們較近發布的4-Mb FM22LD16，都是設計用來滿足客戶在寫入密集型數據應用中對更高存儲容量的需求。這兩款產品具引腳兼容特點，易于實現存儲容量升級。系統設計人員使用FM23MLD16，在與TSOP32 封裝相同大小的PCB空間上可將F-RAM 密度提高7倍。”

 產品主要特性

FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器，采用工業標準并行接口實現存取，訪問時間為60ns，一個訪問周期為115ns。該器件以 ‘無延遲’ (NoDelay™)的特點按照總線速度進行讀寫操作，擦寫壽命至少為1E14 (100萬億) 次，并提供10年的數據保存能力。

相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM)，FM23MLD16無需電池即可進行數據備份，性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案，FM23MLD16無需象電池備份的SRAM那樣需要與電池相關的返工步驟，而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動能力，使F-RAM成為要求嚴苛的工業應用的理想選擇。FM23MLD16包含低電壓檢測功能，當電源電壓低于臨界閾值時，便會阻止對存儲器的訪問。從而防止存儲器在這種情況下出現的不當訪問，避免數據破壞。

此外，FM23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁寫模式，能以高達33MHz的速度進行8字節并發(Burst)讀寫操作。FM23MLD16器件的讀/寫工作電流為9mA，待機模式下典型電流值僅為180µA，而在整個工業溫度范圍內 (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。

價格和供貨

Ramtron  現已提供FM23MLD16的樣品，采用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝，訂購1萬片，單價為29.23美元。