三洋半導體于2009年7月17日上市了與該公司原產品相比封裝面積減小80％、耗電量降低55％的雙極晶體管“ECH系列”（圖1、2）。封裝面積為2.9mm×2.8mm。在該尺寸的產品中，“耗電量業界較低”（該公司）。主要面向便攜產品、平板顯示器和太陽能電池等的電流電路。

圖1：三洋半導體開發的雙極晶體管的新產品（右）和原產品（左）

圖2：新產品（右）和原產品（左）的發熱比較

圖3：“夾焊(Clip Bonding)”方式的概要

圖4：“MBIT-W”工藝的概要

　　為了降低耗電量，該公司分別改進了封裝和芯片。封裝方面，采用了通過銅引線連接的“夾焊(Clip Bonding)”而非線焊（Wire Bonding），從而將外形電阻減少了80％（圖3）。芯片方面，采用了三洋半導體自主開發的技術——基于雙層電極構造的“MBIT-W（Multi-Base Island Transistor -Wireless）”工藝，擴大了芯片的有效工作范圍（圖4）。

　　此次上市的產品包括NPN型的“ECH8201”和“ECH8202”以及PNP型的“ECH8101”和“ECH8102”。ECH8201的耐壓（集電極與發射極間的較大電壓）為＋50V，較大集電極電流為10A。ECH8202的耐壓為＋30V，較大集電極電流為12A。容許損耗為1.6W。此外，還備有與MOS FET一體化的“ECH8901”。

　　所有產品均從2009年7月開始樣品供貨。樣品價格較低為50日元。預定從2009年8月開始量產，月產100萬個。