海力士、LG、三星和Silicon Image簽署長期協議 建立下一代內存接口技術規范
海力士半導體公司(Hynix Semiconductor, Inc.,other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司(納斯達克股票代碼:SIMG)日前宣布組成一個行業聯盟,推廣串行端口內存技術(SPMT?)在市場的應用,努力使之成為行業標準。作為首個針對動態隨機存儲器(DRAM)的內存規范,SPMT將首先把目光對準手機市場,推動產生能夠運行數據高度密集的富媒體應用、同時電池壽命更長的新一代移動設備。
SPMT, LLC的首席技術傳導官Jim Venable表示:“我很高興看到這樣幾家頂尖公司走到一起,共同組建SPMT聯盟來開發和推廣一種新的內存接口架構規范,以滿足富媒體移動設備不斷發展的需求。“串行端口內存技術將成為業界科技發展的一大步,將為手機設計人員開發新一代產品提供全新的視野。”
未來隨著手機具備越來越多電腦中的常見功能以及手機和手持富媒體設備間的界限越來越趨于模糊,為滿足對更大帶寬以及低功耗和低成本的需求,新型的內存架構就必不可少。
海力士半導體內存產品部高級副總裁JB Kim表示:“成功的移動產品解決方案不僅要實現更多的功能和特點,還要想辦法延長電池壽命。SPMT已經為滿足前沿移動設備的需求做好了準備,SPMT工作團隊將為這一不斷發展的市場定義下一代內存接口的標準,能成為該團隊的一部分我們感到十分自豪。”
設立SPMT聯盟的宗旨是為實現新一代移動設備所需的帶寬靈活性和可擴展性提供相應的技術,同時大大減少引腳數量(pin count),降低功耗及成本。
SPMT聯盟的創始成員(推廣者)組成該組織的管理機構,并與貢獻成員一道,負責開發具有以下特點的SPMT規范:
——與現有DRAM技術相比引腳數量降低至少40%;
——靈活的帶寬,從200 MB/s到12.6 GB/s及以上不等;
——連接至單一SPMT內存芯片的單一或多端口配置
LG Electronics研發采購部門的Myung Ryu表示:“隨著移動手機設備的升級換代,對由超先進內存設備支持的富媒體應用的需求將不斷增長。作為推廣者加入SPMT聯盟將幫助我們確保未來發布新產品時業界已經擁有相應的技術支持。”
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