CMOS圖像傳感器技術提高用于移動和消費應用的未來安森美半導體傳感器的功率、性能和尺寸效益

傳統采用單片基板工藝的傳感器設計需要單獨的裸片區以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作，然后通過硅穿孔技術(TSV)堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實現更有效率的裸片分布。這種方法讓設計工程師能夠優化傳感器的各個部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強像素反應。下層電路也可以使用更嚴格的設計規則來降低功耗。更少的總占板空間支持現今先進的相機模組，這些模組整合了光學圖像穩定(OIS)和附加數據存儲功能于同一個占用空間。

安森美半導體圖像傳感器部技術副總裁Sandor Bama表示：“3D層疊技術是令人興奮的突破，它提高了我們在優化安森美半導體未來傳感器的能力。這技術帶來制造和設計的靈活性，確保我們整個傳感器系列維持性能領先的地位。”

安森美半導體將于美國時間1月6日到8日在拉斯維加斯舉行的2015國際消費電子展期間展示其較新的圖像傳感器技術及產品。如需預約私人參觀圖像傳感器現場演示，請聯系安森美半導體銷售代表。

關于安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。