全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布提供采用較新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪問速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用、多功能打印機、自動導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計。此外，Ramtron 亦提供采用44 腳 TSOP封裝的4Mb并口F-RAM產(chǎn)品。

Ramtron 市場拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“FM22LD16 可讓系統(tǒng)設(shè)計人員以相同的占位面積提供多四倍的 F-RAM 容量，這種新型 4Mb FBGA封裝選擇對于電路板空間受限的 RAID 控制器和工業(yè) PC制造商別具吸引力。而 FM22LD16 無需電池，和具有更小的存儲器占位面積，是市場上空間效率較高的非易失性RAM產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點

FM22LD16 是256K×16 的非易失性存儲器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實現(xiàn)存取，存取的時間為55ns，而周期為110ns。該器件以 “無延遲” (No Delay) 寫入的總線速度進行讀寫操作，耐久性至少為1E14 (100萬億) 次寫入并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。

這種4Mb FRAM 是標(biāo)準(zhǔn)異步 SRAM 完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因為它在進行數(shù)據(jù)備份時不需電池，而且還具有單個芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安裝解決方案，與電池供電的SRAM不同，它無需電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動特性。

另外，F(xiàn)M22LD16 備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，能以高達40MHz的速度進行4字節(jié) Burst讀/寫操作，這比其它非易失性存儲器的總線速度高出很多。該器件的工作電流更低于類似密度的其它非易失性存儲器，讀/寫操作時為8mA，而在待機模式下僅為90µA。FM22LD16在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V電壓工作。

價格和供貨

Ramtron  現(xiàn)已提供FM22LD16的工程樣件，采用符合RoHS要求的48腳BGA封裝，小批量訂購的起價為23美元。