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安森美半導(dǎo)體新的功率MOSFET器件為汽車模塊節(jié)省珍貴空間并提供強(qiáng)固性能

2011年02月09日18:36:50 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T

六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證,采用小型扁平引腳封裝,兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗,針對(duì)汽車要求

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出6款新的通過AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET,用于汽車模塊,采用小型扁平引腳(FL)封裝。

這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝,占位面積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)DPAK封裝小50%或以上,但提供相同或更低的導(dǎo)通阻抗。相對(duì)采用歷史較長的DPAK封裝的元件而言,這些器件節(jié)省珍貴的電路板空間,非常適合于燃油噴射系統(tǒng)及電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器等汽車應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換及電源管理。

安森美半導(dǎo)體新的功率MOSFET產(chǎn)品組合中涵蓋30 V、40 V和60 V及N溝道和P溝道器件,為客戶的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了寬范圍選擇。極低的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]將導(dǎo)電及功率損耗降到較低,同時(shí)大電流能力(介于6.3 A到65 A之間,因器件而異)確保提供強(qiáng)固的負(fù)載性能。這些器件通過AEC-Q101認(rèn)證,彰顯它們適合汽車應(yīng)用。

NVMFS4841N (30 V、65 A單N溝道)器件采用SO-8FL封裝,NVTFS4823N (30 V、30 A單N溝道)、NVTFS5116PL (60 V、14 A單P溝道)、NVTFS5811NL (40 V、40 A單N溝道)、NVTFS5826NL (60 V、20 A單N溝道)及NVTFS5820NL (60 V、29 A單N溝道N)采用WDFN-8封裝。

安森美半導(dǎo)體功率MOSFET業(yè)務(wù)部副總裁Paul Leonard說:“減小模塊總體尺寸及提供可靠和強(qiáng)固的性能,是汽車電子應(yīng)用的兩大要求。我們新的功率MOSFET器件滿足這些要求,使汽車客戶節(jié)省珍貴的印制電路板(PCB)占位面積,或在更小的總體設(shè)計(jì)中集成更多的功能。”

安森美半導(dǎo)體這些新的MOSFET器件每1,500片批量的單價(jià)在0.39至0.60美元之間。

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關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ拧⒂?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問http://www.onsemi.cn

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