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◎ 相關(guān)新聞列表
·恒憶(Numonyx):“讓存儲器助您簡化嵌入式設(shè)計” (2009/9/23 13:21:42)
恒憶發(fā)布新款汽車應(yīng)用存儲器產(chǎn)品力薦相關(guān)產(chǎn)業(yè)使用存儲器以獲得競爭優(yōu)勢 在剛剛揭幕的 IIC China 2009 成都站上,恒憶嵌入式產(chǎn)品亞太事業(yè)部市場經(jīng)理楊靜雯對業(yè)界發(fā)表演講,力薦嵌入式系統(tǒng)行業(yè)在簡化和加快設(shè)計時考慮使用存儲器子系統(tǒng),以利于實現(xiàn)關(guān)鍵的成本和時間優(yōu)勢,鼓勵嵌入式系統(tǒng)市場進(jìn)一步創(chuàng)新。...
·施顏祥:處理TMC 著眼技術(shù)生根 (2009/9/14 9:49:21)
臺灣新任“經(jīng)濟(jì)部長”施顏祥11日強(qiáng)調(diào),成立TMC的時空環(huán)境在變,當(dāng)時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài),現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 施顏祥說,現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整,他會在下周聽取工業(yè)局簡報,了解TMC政策推動進(jìn)度與細(xì)節(jié),再決定未來怎么做,原則上...
·NAND生存在矛盾之中 (2009/9/9 9:43:35)
在全球金融危機(jī)影響下,由于市場的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣,向來紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中,發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生,似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少,能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展的幾點看法,認(rèn)為NAND...
·Marvell 的遠(yuǎn)見和對中國的長期重視為該公司的下一階段發(fā)展打下基礎(chǔ) (2009/9/7 13:08:36)
在中國這一全球較大消費(fèi)電子市場拓展業(yè)務(wù)時,這家領(lǐng)先的消費(fèi)和移動芯片制造商已經(jīng)受益于早期對該市場的重視存儲、通信和消費(fèi)型硅解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Marvell (Nasdaq: MRVL) 今天對該公司與全球較大電話運(yùn)營商中國移動的成功合作進(jìn)行了慶祝,并且慶祝了其在中國市場進(jìn)行初期投資的策略。 ...
·恒憶(Numonyx)加大在華投資 深耕存儲市場 (2009/9/1 16:52:28)
全球較大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等...
·LSI 面向中端客戶推出低成本高性能存儲系統(tǒng) (2009/8/28 8:42:43)
LSI 公司 (NYSE: LSI) 日前宣布推出 LSI™ Engenio® 4900 存儲系統(tǒng),該新一代中端磁盤存儲系統(tǒng)旨在以低成本實現(xiàn)較佳性能、高動態(tài)靈活性以及高級功能。系統(tǒng)的多協(xié)議連接性和模塊化架構(gòu)支持8Gb/s光纖通道 (8G FC) 和 1Gb/s iSCSI 主...
·中電標(biāo)協(xié)海量存儲標(biāo)準(zhǔn)工作委員會在京成立 (2009/8/21 10:30:19)
日前,中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會海量存儲標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(以下簡稱海標(biāo)委)在北京友誼賓館召開了隆重的成立大會。這是我國網(wǎng)絡(luò)存儲領(lǐng)域第一個標(biāo)準(zhǔn)化工作組織。來自工業(yè)和信息化部、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會、山東省和北京市經(jīng)濟(jì)與信息化委員會、中國電子標(biāo)準(zhǔn)化研究所的領(lǐng)導(dǎo),企業(yè)、用戶、高校、科研院所、協(xié)會、媒體等方面...
·美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法 (2009/8/4 10:41:02)
美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM),并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載,美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR...
·三星開始量產(chǎn)基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM (2009/7/23 15:58:05)
韓國三星電子(Samsung Electronics)2009年7月20日宣布,基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM已經(jīng)開始量產(chǎn)。三星電子2009年1月完成了DRAM量產(chǎn)用40nm工藝技術(shù)的開發(fā),并于同年2月應(yīng)用到了1Gbit DDR3型DRAM的量產(chǎn)中(參閱本站報道)。與采用50...
·恒憶 (Numonyx) 為串行閃存產(chǎn)品推出統(tǒng)一新品牌Numonyx® Forté™ (2009/7/22 10:11:57)
為了準(zhǔn)備在今年后半年針對嵌入式系統(tǒng)設(shè)計發(fā)布領(lǐng)先的新一代串行NOR閃存產(chǎn)品,恒憶(Numonyx)公司今天宣布為旗下整個串行產(chǎn)品線啟用全新品牌:Numonyx® Forté™ 串行閃存。新品牌代表了該領(lǐng)域較全面和較靈活的串行閃存產(chǎn)品組合,可為消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車電子、固話和無線通信應(yīng)...
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