美光科技股份有限公司近日宣布生產出業內首個DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數據頻率并顯著增加內存容量。

新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業內領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產。

如今多數中端企業服務器每系統使用大約32GB的DRAM內存，但根據Gartner公司近期的一份報告（2009年5月），此數字預計在2012年將增至三倍以上。隨著服務器制造商繼續利用多核處理器和數據中心選擇高效的虛擬化技術，內存要求達到前所未有的高度。通過增加服務器系統具備的可用內存，系統能夠同時運行更多的程序、更有效地處理更大的數據文件，通常呈現出更好的整體系統性能。

美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離內存緩沖(iMB)芯片而非寄存器，以在內存和處理器之間傳輸數據時減少總線負載。相較于目前標準的DDR3服務器模塊 - 寄存式DIMM (RDIMM) ，美光新的雙排LRDIMM模塊可減少此負載50%，四排LRDIMM模塊則可減少75%。通過減少總線負載，美光的LRDIMM使服務器能夠處理更高的數據頻率，從而提高整體系統性能和支持更多的模塊數量以獲得更大的系統內存容量。

目前使用RDIMM的典型服務器系統每個處理器較多可以容納3個四排16GB RDIMM模塊。不過，同樣的系統每處理器較多可以支持9個四排16GB LRDIMM，使內存容量從48GB增加到144GB。與RDIMM的性能水平相比較，美光的16GB LRDIMM增加系統內存帶寬57%。由于服務器功耗仍是客戶的首要考慮，美光的LRDIMM也將以業內較低的1.35伏電壓運作。

美光DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著虛擬化的興起，我們新的16GB模塊使客戶能夠方便地擴大他們的內存容量。傳統的RDIMM由于其負載情況限制了可以容納的內存數量，而LRDIMM通過減少模塊負載消除了該問題。由于我們的LRDIMM設計采用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3芯片，這減少了模塊芯片數量，因此我們能夠為客戶提供更具成本效益和更高效的方法來提高服務器內存容量和性能，同時還降低功耗水平。”

Inphi市場營銷副總裁Paul Washkewicz說：“采用此內存技術方式將進一步實現服務器虛擬化和云計算。此技術為數據中心服務器提供迫切需要的更大帶寬和內存容量。”

IDT 企業計算部副總裁兼總經理Mario Montana說：“作為AMB+ 和 DDR3 寄存器/PLL這樣低功耗內存接口設備的領先供應商，IDT很高興再次將我們經過行業證明的技術和專長應用到這個針對DDR3 LRDIMM的新類別的內存緩存。我們很高興與美光以及我們的生態系統伙伴合作，為高性能計算市場實現創新的解決方案。”