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三星開始量產基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM

2009年07月23日15:58:05 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 

      韓國三星電子(Samsung Electronics)2009年7月20日宣布,基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM已經開始量產。三星電子2009年1月完成了DRAM量產用40nm工藝技術的開發,并于同年2月應用到了1Gbit DDR3型DRAM的量產中(參閱本站報道)。與采用50nm工藝相比,40nm工藝量產的生產效率可提高約60%。

  三星電子此次量產的DRAM,其數據傳輸速度為較大1.6Gbit/秒。工作電壓為1.35V。采用新工藝生產的芯片,除了將面向服務器以16Gbit/8Gbit/4Gbit的RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)形式供應外,還將作為面向工作站和臺式個人電腦的UDIMM(Unregistered Dual In-line Memory Module)以及面向筆記本電腦的SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Modules)以擴大銷售。

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