韓國三星電子（Samsung Electronics）2009年7月20日宣布，基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM已經開始量產。三星電子2009年1月完成了DRAM量產用40nm工藝技術的開發，并于同年2月應用到了1Gbit DDR3型DRAM的量產中（參閱本站報道）。與采用50nm工藝相比，40nm工藝量產的生產效率可提高約60％。

　　三星電子此次量產的DRAM，其數據傳輸速度為較大1.6Gbit/秒。工作電壓為1.35V。采用新工藝生產的芯片，除了將面向服務器以16Gbit/8Gbit/4Gbit的RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）形式供應外，還將作為面向工作站和臺式個人電腦的UDIMM（Unregistered Dual In-line Memory Module）以及面向筆記本電腦的SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules）以擴大銷售。