器件采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D²PAK封裝；具有低至0.555Ω的導(dǎo)通電阻和48nC的柵極電荷

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的較大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D²PAK(TO-263)封裝。

這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和LLC拓?fù)渲泄?jié)約能源，這些應(yīng)用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機(jī)和液晶電視，以及開(kāi)放式電源。

除了具有低導(dǎo)通電阻，這三款器件的柵極電荷為48nC。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積低至26.64Ω-nC，該數(shù)值是描述用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。

新款N溝道MOSFET采用Vishay Planar Cell技術(shù)生產(chǎn)，這項(xiàng)技術(shù)為減小通態(tài)電阻進(jìn)行了定制處理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了開(kāi)關(guān)速度和損耗。

這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并經(jīng)過(guò)了完備的雪崩測(cè)試，以實(shí)現(xiàn)可靠的工作。新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備)。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。