——Vishay全面介紹創(chuàng)新技術(shù) 展望行業(yè)熱點領(lǐng)域，發(fā)布“Super 12”產(chǎn)品系列

Vishay于7月6日在北京舉辦了主題為：將Vishay內(nèi)置到您的設(shè)計中——Super12系列產(chǎn)品媒體發(fā)布會。向媒體全面介紹了公司較新的技術(shù)態(tài)勢、行業(yè)熱點展望，以及Vishay “Super 12”產(chǎn)品系列。Vishay公司亞洲區(qū)銷售高級副總裁 顧值銘先生、Vishay公司全球網(wǎng)絡(luò)營銷總監(jiān)Craig Hunter先生和Vishay公司亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰先生分別發(fā)言，闡述了上述主題。

在發(fā)布會正式開始之前，Vishay通過別具特色的一系列視頻短片介紹公司的發(fā)展起源、歷史文化等以便與會者多角度全方位了解Vishay，感受Vishay由1962年生產(chǎn)箔電阻單一制造商到可提供廣泛電子元件制造商的核心優(yōu)勢及企業(yè)持續(xù)發(fā)展的源動力。

Vishay的核心優(yōu)勢及愿景

Vishay亞洲區(qū)銷售高級副總裁顧值銘先生重點介紹了公司發(fā)展概況。顧值銘先生通過圖文并茂和極具說服力的數(shù)據(jù)介紹了企業(yè)發(fā)展歷程、前景展望，讓到會的每一位媒體朋友更加全面的了解Vishay、認(rèn)識Vishay。

Vishay亞洲區(qū)銷售高級副總裁顧值銘先生

顧值銘先生表示，Vishay是分立半導(dǎo)體和被動器件領(lǐng)域的全球技術(shù)領(lǐng)袖，核心優(yōu)勢在于通過收購實現(xiàn)的良好的業(yè)績增長紀(jì)錄，廣泛滲透到各行各業(yè)和各個地區(qū)市場，通過研發(fā)獲得實現(xiàn)增長所需的當(dāng)前和未來由客戶驅(qū)動的解決方案。

Vishay擁有強勁自如的現(xiàn)金流和靈活的財務(wù)管理、充足的現(xiàn)金儲備。從1985年起，通過協(xié)同收購和專注于研發(fā)實現(xiàn)加速增長的戰(zhàn)略，使其成為一家全球范圍內(nèi)真正具有廣泛產(chǎn)品線的供應(yīng)商。今天，全球幾乎所有主要的電子產(chǎn)品制造商都在使用Vishay的器件。Vishay的愿景是提供創(chuàng)新的產(chǎn)品和技術(shù)，滿足當(dāng)前和未來的市場需求，成為一家具有廣泛產(chǎn)品線的分立電子元器件供應(yīng)商，為各個地區(qū)的所有細(xì)分市場提供“一站式”服務(wù)和客戶解決方案。

顧值銘先生列舉了市場排名全球第一的許多產(chǎn)品線，包括：繞線電阻和其他功率電阻、引線式薄膜電阻、薄膜表面貼裝電阻、液鉭和保形涂層鉭電容器、功率電子用電容器、分立功率半導(dǎo)體、二極管、功率整流器、低壓功率MOSFET和紅外器件。

在展望未來時，顧值銘先生表示，Vishay正在通過研發(fā)實現(xiàn)增長，推出不到5年的產(chǎn)品占目前銷售額的比例為26%，相當(dāng)于每年對內(nèi)生性增長的貢獻(xiàn)約為5%。目標(biāo)明確的收購戰(zhàn)略對Vishay現(xiàn)有產(chǎn)品線補充了完整產(chǎn)品組合。這樣Vishay就可以加強和擴展Vishay作為專用產(chǎn)品供應(yīng)商的地位，增加市場份額，發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)。

滿足客戶需求的創(chuàng)新產(chǎn)品

Vishay全球網(wǎng)絡(luò)營銷總監(jiān)Craig Hunter先生針對Super12系列產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢做了詳細(xì)介紹。Super12系列產(chǎn)品是6款半導(dǎo)體和6款被動器件，是根據(jù)客戶需求而推出的創(chuàng)新產(chǎn)品。Super12系列產(chǎn)品具有業(yè)界領(lǐng)先的參數(shù)性能確保高精度和高穩(wěn)定性得以實現(xiàn)，助力客戶開發(fā)出更多卓越產(chǎn)品，達(dá)到互利共贏的目的。

Vishay全球網(wǎng)絡(luò)營銷總監(jiān)Craig Hunter先生

Craig Hunter先生表示，2011年的Vishay將推出有別于今年的Super12，即將問世的將是6款半導(dǎo)體芯片和6款無源器件，將一如既往的保持業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，助力客戶在市場上獲得成功。

Vishay作為全球分立半導(dǎo)體和被動電子元件的較大制造商之一，推出的super12高性能產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級和導(dǎo)通電阻。

Craig Hunter先生介紹說：“Super 12具備6款半導(dǎo)體和6款被動器件，它將完全迎合客戶較新設(shè)備趨勢的解決方案，給客戶提供一個概述方便客戶在較短時間找到一個合適的解決方案，幫助客戶開發(fā)面向市場的制勝產(chǎn)品。”

Super 12是為滿足我們客戶的需求開發(fā)的產(chǎn)品，是從超過73,000個器件中選擇出來的針對所有細(xì)分市場的解決方案。其應(yīng)用包括：汽車、計算機、消費、工業(yè)和照明、醫(yī)療、軍工/航天。

他表示，Super 12技術(shù)領(lǐng)先，由6款半導(dǎo)體和6款被動器件組成，可以迎合客戶較新設(shè)備趨勢的解決方案，具有業(yè)界領(lǐng)先的參數(shù)性能，可以幫助客戶開發(fā)面向市場的“制勝”產(chǎn)品。

Super 12產(chǎn)品包括：

• 597D和T97多模鉭電容：對于+28V應(yīng)用，工業(yè)級的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是業(yè)內(nèi)首批75V額定電壓的鉭電容。這些器件具有業(yè)內(nèi)較高的容值-電壓，從4V電壓的1500μF到75V電壓的15μF，可節(jié)省PCB空間，同時低至15mΩ的超低ESR提高了設(shè)計效率。
• MKP 1848聚丙烯薄膜電容：對于直流應(yīng)用，MKP 1848電容的額定容值為1μF～400μF，有2個或4個引腳用于PCB安裝（MKP 1848），額定容值為60μF～400μF的器件采用總線條，用于直接IGBT安裝（MKP 1848 PCP）。
•  IHLP®-6767功率電感：lIHLP-6767器件是目前額定電流較高的SMD功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm，電流可達(dá)100A，感值為100 μH，還具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。
• WSMS和WSBS高功率分流電阻：WSMS功率計分流電阻和WSBS車用電池分流電阻具有50 μΩ～500 μΩ的極低阻值，2908、3124和5515外形尺寸電阻的功率為3W，8518尺寸的功率達(dá)36W。器件的全焊接結(jié)構(gòu)使器件可以在大于400A的連續(xù)電流下工作。
• LPS平板厚膜電阻：LPS系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散達(dá)800W，重量為83g。器件的絕緣強度達(dá)12kV _VRMS，阻值范圍為0.3Ω～900kΩ。
• 無磁MLCC：這些MLCC電容采用無磁材料制造，采用多種組裝方式，包括導(dǎo)電樹脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級和容值，采用了貴金屬和濕法制造工藝，以達(dá)到高可靠性。
• 第三代TrenchFET® P溝道MOSFET： 這種較新一代的P溝道硅技術(shù)使器件實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較佳的導(dǎo)通電阻標(biāo)準(zhǔn)，如采用PowerPAK® SO-8封裝的導(dǎo)通電阻為1.9mΩ。第三代TrenchFET P溝道MOSFET的rDS（on）只有市場上較接近器件的一半，用更低的傳導(dǎo)損耗實現(xiàn)了更高的效率，使采用電池的應(yīng)用在兩次充電之間的時間更長。這種MOSFET還提供完整的封裝選項，包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封裝。
• 20A的第5代肖特基二極管20WT04FN：20WT04FN是業(yè)界首款采用D-PAK封裝的20A、40V二極管。該器件的工作溫度可高達(dá)+175°C，在20A、+125°C下的較大正向電壓降為0.530V，在45V、+125°C下的較大反向漏電流為7mA。
• MSS1P2U和MSS1P3U eSMP™ SMD肖特基勢壘整流器： MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度，在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降，典型厚度為0.68mm。
• VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驅(qū)動器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40°C～+110°C。
• SiC769 DrMOS 6x6：SiC769集成式MOSFET和驅(qū)動IC方案具有業(yè)內(nèi)較佳的功率密度，可用于主流的多相Vcore應(yīng)用。新器件完全符合針對高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)整器（VR）的DrMOS標(biāo)準(zhǔn)，工作頻率可達(dá)1MHz。
• 第9代Super Junction™ FET MOSFET：Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω（較大）的導(dǎo)通電阻，改善了導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積，即優(yōu)值（FOM）。

未來的新興市場應(yīng)用

Vishay亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰先生介紹Vishay未來的新興市場應(yīng)用將通過混合動力和純電動汽車實現(xiàn)節(jié)能；替代能源風(fēng)能和太陽能；通過LED照明實現(xiàn)節(jié)能；超薄移動家電包括電子書、電子閱讀器、平板電腦四大方面。

Vishay亞洲區(qū)市場開發(fā)技術(shù)應(yīng)用總監(jiān)楊益彰先生

楊益彰先生認(rèn)為，針對新興市場應(yīng)用設(shè)計分立器件具有重要意義，同時也面對著挑戰(zhàn)和局限，即集成電路受到供電能力的限制（較大電流）；無法集成儲能器件（電容器、電感器）；高精度電流檢測需要分立式外置分流電阻（半導(dǎo)體器件太不準(zhǔn)確了）；IC內(nèi)部的ESD和瞬態(tài)保護(hù)功能過于薄弱；分立器件可承受高得多的工作溫度；電路板的設(shè)計靈活性（管腳兼容）、模塊化概念；用于精確和穩(wěn)定輸入信號的分散式智能傳感器（高輸出、精確、低噪聲、耐用的結(jié)構(gòu)）。

他還介紹了一些新興市場應(yīng)用，第一是通過混合動力和純電動汽車實現(xiàn)節(jié)能。預(yù)計2009至2012年，混合動力汽車的年均增長率可達(dá)20%。混合動力汽車需要新的功能，包括逆變器、先進(jìn)的電機控制和電池管理。Vishay為混合動力應(yīng)用提供定制和現(xiàn)成的核心器件，例如：薄膜電容器模塊、逆變器IGBT模塊、電池控制的分流和放電電阻、MOSFET和SSR（固態(tài)繼電器）。

混合動力的應(yīng)用實例：逆變器

第二是通過汽車中的啟動/停車技術(shù)實現(xiàn)節(jié)能。到2012年，預(yù)計50%的新汽車將配備啟動/停車技術(shù)。Vishay為啟動/停車應(yīng)用提供定制和現(xiàn)成的關(guān)鍵器件，例如DC升壓轉(zhuǎn)換器的功率電感器、MOSFET、肖特基二極管、電解電容器；B6電橋和電流傳感器的MOSFET、定制的Power Metal Strip® 電阻。

啟動/停車的應(yīng)用實例：DC/DC轉(zhuǎn)換器

第三是替代能源——風(fēng)能和太陽能。2008至2013年， 太陽能發(fā)電的裝機容量年均增長率達(dá)25%。Vishay為太陽能和風(fēng)能應(yīng)用提供定制和現(xiàn)成的關(guān)鍵器件，例如：逆變器的MOSFET、智能IGBT和SCR模塊、帶卡緊功能的點解電容器、放電和斬波電阻；電網(wǎng)濾波器的交流功率因數(shù)校正電容器；接線盒的旁路功率肖特基二極管。

用于風(fēng)能和太陽能的關(guān)鍵器件

第四是通過LED照明實現(xiàn)節(jié)能。預(yù)計2009至2012年， LED的年均增長率可達(dá)9%。Vishay為照明應(yīng)用提供定制和現(xiàn)成的方案和關(guān)鍵器件，例如：高功率LED和模塊、DC/DC控制的PowerPAK® MOSFET、IHLP® 電感器,檢流電阻；AC/DC電源的TMBS® 二極管,光耦、MOSFET、用于功率因數(shù)校正的串聯(lián)整流器。

LED的方案實例：街燈

第五是超薄移動家電：電子書，電子閱讀器，平板電腦。預(yù)計從2009至2011年，電子閱讀器的年均增長率可達(dá)25%。Vishay為電子書、電子閱讀器、平板電腦提供定制和現(xiàn)成的結(jié)局而方案和關(guān)鍵器件，例如：用于保護(hù)接口的ESD/EMI陣列；電源方案的模擬開關(guān)、MicroFoot® MOSFET、HLP®電感器,檢流電阻、MicroTan鉭電容器；DC-DC控制的microBuck®穩(wěn)壓器,環(huán)境光傳感器、MOSFET,和eSMP™ 二極管。

超薄移動家電：電子書，電子閱讀器，平板電腦方案實例

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