亚洲精品影院一区二区-亚洲精品永久一区-亚洲精品中文一区不卡-亚洲精品中文字幕久久久久久-国产亚洲精品aaa大片-国产亚洲精品成人a在线

您好,歡迎光臨電子應用網![登錄] [免費注冊] 返回首頁 | | 網站地圖 | 反饋 | 收藏
在應用中實踐
在實踐中成長
  • 應用
  • 專題
  • 產品
  • 新聞
  • 展會
  • 活動
  • 招聘
當前位置:電子應用網 > 新聞中心 > 正文

Vishay Siliconix發布首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET

2010年05月06日08:57:38 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 電源 

Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中,該器件的導通電阻是較低的。

新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業/通用系統中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導通電阻意味著更低的功率損耗,節省能源,延長兩次充電之間的電池壽命,同時還可以減少發熱,減小PCB焊盤的面積。對于工業/通用系統中的電壓達24V的負載切換和熱插拔應用,該MOSFET的低導通電阻還可以減小電壓降。

Si7625DN10V4.5V下的導通電阻低至7mΩ和11mΩ,這些數值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在104.5V下的導通電阻分別低30%39%

新款MOSFET采用了Vishay此前發布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業應用的要求,第三代TrenchFET封裝讓設計者可在具有較大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-885%79%)或節省空間的PowerPAK 1212-8之間進行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm,該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8SO-8型封裝的1/3

MOSFET進行了完備的RgUIS測試,符合ROHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范。 

新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品,將于2010年第二季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十六周。

網友評論:已有2條評論 點擊查看
登錄 (請登錄發言,并遵守相關規定)
如果您對新聞頻道有任何意見或建議,請到交流平臺反饋。【反饋意見】
關于我們 | 聯系我們 | 本站動態 | 廣告服務 | 歡迎投稿 | 友情鏈接 | 法律聲明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
電子應用網 京ICP備12009123號-2 京公網安備110105003345號