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意法半導(dǎo)體(ST)推出90納米技術(shù) STM32微控制器,內(nèi)置獨(dú)特閃存加速器,提高系統(tǒng)總體性能

2010年03月10日12:40:25 本網(wǎng)站 我要評(píng)論(2)字號(hào):T | T | T

全球領(lǐng)先的微控制器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)宣布取得兩項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)展,促使市場(chǎng)成功的STM32系列微控制器的性能和功耗獲得進(jìn)一步提升,這兩項(xiàng)進(jìn)展分別是:內(nèi)嵌90納米制程閃存的微控制器問(wèn)世;推出業(yè)內(nèi)首款針對(duì)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的ARM® Cortex™-M3內(nèi)核優(yōu)化的自適應(yīng)實(shí)時(shí)(ART)存儲(chǔ)器加速器。

意法半導(dǎo)體的首批采用90nm嵌入式閃存制程生產(chǎn)的STM32微控制器的運(yùn)行速度更快,功耗更低,外設(shè)集成度更高,片上存儲(chǔ)密度更大。90nm嵌入式閃存技術(shù)的性能已經(jīng)在智能卡和汽車電子IC上得到實(shí)證。意法半導(dǎo)體已于2009年發(fā)布了內(nèi)嵌90nm 閃存的微控制器的樣片。

由于ARM Cortex-M3的性能高于閃存技術(shù),在運(yùn)行頻率較高時(shí),處理器必須等待閃存,意法半導(dǎo)體獨(dú)有的ART存儲(chǔ)器加速器可平衡這一固有的性能差距。現(xiàn)在,在運(yùn)行頻率達(dá)到120MHz時(shí),CPU無(wú)需等待閃存,提高系統(tǒng)的總體速度和能效。

為了在這個(gè)頻率上釋放處理器的150 DMIPS的全部性能,加速器實(shí)現(xiàn)了指令預(yù)取隊(duì)列和分支緩存,從閃存執(zhí)行程序的速度達(dá)到120MHz,零等待狀態(tài)。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz頻率以上才能超越,但是高頻率換來(lái)高功耗和高散熱量。

現(xiàn)在有了這種性能,開(kāi)發(fā)人員可以在微控制器上執(zhí)行更多的系統(tǒng)功能,無(wú)需使用更加昂貴的微控制器或伴隨DSP芯片。例如,在多媒體應(yīng)用中,客戶將能夠?qū)崿F(xiàn)音頻編解碼、視頻處理、數(shù)據(jù)加密、數(shù)字過(guò)濾和多協(xié)議網(wǎng)關(guān),剩余的資源足以處理其它任務(wù)。

較新采用90nm制程和ART存儲(chǔ)器加速器的多款STM32產(chǎn)品已通過(guò)“嵌入式微處理器測(cè)試基準(zhǔn)協(xié)會(huì)”的CoreMark™ 測(cè)試。CoreMark測(cè)試結(jié)果證明,在時(shí)鐘速度100MHz時(shí),STM32的執(zhí)行速度比Cortex-M競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品快8%。性能優(yōu)勢(shì)能夠保持在120MHz。CoreMark分析報(bào)告證實(shí),STM32的動(dòng)態(tài)功耗僅為188µA/MHz (98µA/CoreMark)。這相當(dāng)于在120MHz時(shí)消耗 22.5mA電流(從閃存執(zhí)行代碼,ART加速器開(kāi)啟,所有外設(shè)關(guān)閉)。

目前大客戶正在測(cè)試新的內(nèi)置ART存儲(chǔ)器加速器的90nm微控制器樣片。意法半導(dǎo)體將在今年下半年公布產(chǎn)品細(xì)節(jié)。

關(guān)于STM32系列微控制器

今天發(fā)布的增強(qiáng)技術(shù)擴(kuò)大了意法半導(dǎo)體的微控制器產(chǎn)品陣容,原本已經(jīng)是業(yè)內(nèi)產(chǎn)品線較寬的Cortex-M3 產(chǎn)品組合現(xiàn)在擴(kuò)大到110款產(chǎn)品。所有的STM32系列產(chǎn)品的引腳和軟件都相互兼容,共用一個(gè)外設(shè)固件庫(kù),這有助于提高設(shè)計(jì)伸縮性和高效的開(kāi)發(fā)平臺(tái)化的產(chǎn)品。

現(xiàn)有的STM32產(chǎn)品線包括STM32高性價(jià)比系列、STM32基本型系列和 STM32增強(qiáng)型系列。新增的升級(jí)系列包括增加更多接口的STM32基本型USB系列和支持USB OTG、以太網(wǎng)和雙CAN接口的STM32互聯(lián)型系列。片上閃存密度從16KB到1MB,SRAM密度從4KB到96KB,封裝從36針的QFN到 144針的LQFP封裝或BGA封裝。高性能片上外設(shè)包括通信接口、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、計(jì)時(shí)器和電壓監(jiān)控功能(看門(mén)狗和復(fù)位功能)。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計(jì)能力和知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實(shí)力,意法半導(dǎo)體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的行業(yè)領(lǐng)袖。2009年,公司凈收入85.1億美元。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn

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