雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大，但是上海華虹NEC電子有限公司（“華虹NEC”）絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產、轉向專業(yè)代工算起，就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略客戶的發(fā)展道路，并在激烈競爭的代工市場領域建立起了獨特的優(yōu)勢。“多年前，華虹NEC第一個采用8英寸生產線來制造MOSFET等分立器件時，被當時絕大多數(shù)業(yè)內人士指責殺雞用牛刀，然而，事實證明華虹NEC這一步棋走對了。目前華虹NEC分立器件累計出貨超過100萬片晶圓，這種新型代工業(yè)務模式也被競爭對手所效仿。”華虹NEC市場副總裁高峰對本刊表示。除了嵌入式非揮發(fā)性存儲器外，華虹NEC還在功率器件、模擬/電源管理IC、高壓CMOS以及基于SiGe（鍺硅）工藝的射頻等特色工藝領域不斷創(chuàng)新，并取得了不俗的業(yè)績。展望2010年，華虹NEC的五大特色工藝正好匹配了目前較熱門的一大部分產品與應用，并將為廣大客戶、特別是本土客戶帶來高性價比的產品與服務。

    從智能卡到MCU再到觸摸屏

    從0.35微米工藝到0.13微米工藝，華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術的領先地位。目前華虹NEC正在開發(fā)的創(chuàng)新技術是1T（一個晶體管）快閃存儲單元。“1T技術比現(xiàn)有技術可在更小的晶圓尺寸上實現(xiàn)更大容量的存儲單元，特別對于768KB或以上容量的存儲單元面積縮小更為顯著，這正是3G/4G手機終端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰說道。

    盡管如此，智能卡業(yè)務僅占華虹NEC不到30%收入比例，華虹NEC一方面加大其余特色工藝平臺的技術創(chuàng)新與市場開拓，另一方面也大力將自己領先的嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術向非智能卡產品領域拓展與延伸。

    將嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術拓展到MCU領域就是華虹NEC正在做的一個工作。在MCU市場，華虹NEC特別注意扶持中小型的潛力客戶。“為此，我們采用了兩條腿走路的方式：一方面我們與國際IP廠商合作，以服務大的客戶；另一方面我們與臺灣及本土IP廠商合作，引入低價位的CPU核、同時配以良好的技術支持，這對中國IC設計公司非常重要。”目前幾家本土優(yōu)質MCU廠商已是華虹NEC的重要培養(yǎng)客戶。

    還有一個目前非常火的市場也是華虹NEC的嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝可以延伸的領域，這就是觸摸屏市場。“觸摸屏產品可以用到我們的多個工藝，包括集成嵌入式非揮發(fā)性存儲器和高壓CMOS的特色工藝，這一創(chuàng)新技術我們已開發(fā)出來，今年就開放給用戶使用。”高峰透露。在LCD驅動領域，華虹NEC是很多知名芯片廠商的代工伙伴，處于該領域的業(yè)界領先地位。現(xiàn)在，利用這一優(yōu)勢工藝，結合嵌入式非揮發(fā)性存儲器，華虹NEC希望能在觸摸屏市場大展拳腳。

    BCD工藝迎合節(jié)能環(huán)保熱點

    2010年較熱的LED照明/背光、高端電源管理和汽車電子中都缺不了BCD（雙極，CMOS和DMOS）工藝的器件，事實上，BCD基礎器件已成這些熱門應用的核心器件。而華虹NEC已開發(fā)和正在開發(fā)的BCD工藝技術的節(jié)點涵蓋0.5μm、0.35μm、0.25μm與0.18μm，其中面向高端電源管理的“0.25/0.18umBCD”還是國家重點支持的重大科技專項項目之一。
 “700VBCD是一種創(chuàng)新，基于該工藝制造的IC可直接工作在220V的市電下，而不用像以前那樣通過多個器件來實現(xiàn)。這樣就大大提高了效率，符合節(jié)能環(huán)保趨勢。”高峰解釋。他透露目前已有國內IC設計公司設計出700V的BCD器件，并正在與華虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶電視背光方面，華虹NEC已成功推出40V與60V的BCD工藝技術平臺，客戶包括國內與海外廠商。“BCD工藝技術的發(fā)展不像標準CMOS工藝那樣遵循Moore定律，而是向高壓、高功率、高密度三個方向發(fā)展。”他解釋。

    在BCD和MOSFET的另一大應用——汽車電子市場，華虹NEC已獲得了汽車電子符合性認證，正在與合作伙伴一起準備產品認證。

    鍺硅射頻技術讓無線產品更便宜

    3G、WLAN/WIFI以及衛(wèi)星機頂盒等都是2010年無線市場的大熱，而這些終端產品中有一個占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前業(yè)界主流PA都采用砷化鎵工藝，但是砷化鎵工藝的代工廠數(shù)量少，代工價格也很貴，很多時候還會出現(xiàn)供應緊缺情況。而鍺硅(SiGe)工藝比砷化鎵的成本要低很多，如果能采用單管的鍺硅代替后者，將為無線產業(yè)帶來一次革命。華虹NEC正在作此項研究，有望在今年內取得突破。

    “問題的關鍵是如何讓鍺硅工藝的性能進一步提升，而不增加太多成本。”高峰分析，“我們的策略是先在一些對性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化鎵。華虹NEC目前正在開發(fā)0.18/0.13um鍺硅工藝，將用于接收機的LNA(低噪聲放大器)中，同時還會用于對講機的PA中。”他同時透露，這個項目也是國家重點支持的項目之一，華虹NEC今后將繼續(xù)開發(fā)性價比更高的鍺硅射頻工藝技術平臺，用于更高端的產品中。

    中國芯片廠商已開始在PA市場扮演重要角色，這個傳統(tǒng)上由國際廠商主導的市場，正在RDA（銳迪科）等中國廠商的帶領下向本土化供應商滲透。華虹NEC在鍺硅項目上會不會再帶火一家本土的IC公司呢，我們將拭目以待。