Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET^®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級，在10V柵極驅動下的較大導通電阻僅有0.190Ω。低RDS(on)意味著更低的導通損耗，從而在液晶電視、個人電腦、服務器、開關電源和通信系統等各種電子系統中減少功率因數矯正(PFC)和脈寬調制(PWM)應用的能量損耗。

除低導通電阻之外，這些器件的柵電荷只有98nc。柵電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中MOSFET的優值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。

為可靠起見，這些器件均進行了完整的雪崩測試，具有很高的重復(E_AR)雪崩能量。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續電流。這四款器件均具有有效輸出容值標準。

與前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨導和反向恢復特性。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款Super Junction FET MOSFET現可提供樣品，將于2010年第一季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。