——德州儀器推出面向高電流DC/DC應用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET

德州儀器（TI）中國區電源產品業務拓展工程師吳濤在北京發布其面向高電流DC/DC應用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET時表示：“縮小DC/DC解決方案尺寸是一個發展趨勢。首先，許多標準架構（PCI、ATCA）、電信及服務器機柜設備都具有固定的支架/機柜尺寸和電源預算；其次，PCB密度的日益提高支持設計人員實現其產品的獨樹一幟；而較大的需求是在不降低效率和性能的情況下提高POL的功率密度。

吳濤說，德州儀器此次發布的DualCool™ NexFET™功率MOSFET使得功率轉換產生的熱量能通過對流冷卻從頂端散出，不但提高了功率密度、電流承受能力，同時增強了系統穩定性。”

第一個頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET

DualCool™ NexFET™ 功率MOSFET是業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，它有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高50%，并改進散熱管理。

該系列包含的5款NexFET器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業系統等。

圖1：通過封裝比較凸顯頂端散熱能力

吳濤指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET功率MOSFET能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”

頂端散熱的優勢

·DualCool NexFET功率MOSFET作為單相35A同步降壓轉換器的MOSFET，采用一個MOSFET即可滿足高電流DC/DC應用中的高、低側兩種開關需求；增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10-15℃/每瓦降至1.2℃/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%；高效的雙面散熱技術可將允許通過FET的電流提高50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；業界標準5毫米x6毫米SON封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5x6封裝相比，可節省30mm²的空間。

圖2：實際運行條件下的散熱比較（CSD16321Q5C）（PD= 2.1W，空氣流量= 300LFM）

收購節能技術，開發高效電源解決方案

較近，德州儀器還宣布收購了高頻率高效率電源管理半導體領先設計商CICLON半導體器件公司。通過此次收購，TI將進一步改進包括高功率計算與服務器系統等在內的眾多終端設備設計的用電效率。

CICLON半導體器件公司是一家高頻率、高效功率MOSFET與RF LDMOS無晶圓供應商，其半導體解決方案可充分滿足高性能應用的需求。

采用CICLON業界先進電源管理技術的設計人員可將電源系統的工作頻率進行倍頻，實現高達90％以上的效率，而封裝外形則比當前電源縮減了20%。該公司名為NexFET™ 的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術可通過大幅減少柵極電荷提高上述性能并優化尺寸。

吳濤告訴記者：“CICLON精深而廣博的專業技術與TI業界領先的電源管理半導體產品系列強勢結合，使我們能夠在解決客戶復雜電源設計技術難題方面獲得巨大優勢。”

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