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Vishay Siliconix較新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業內較低的導通電阻

2010年01月04日11:45:10 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業內P溝道器件較低的導通電阻。

 

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的較新產品,使用了自對準工藝技術,在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種較先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝,將業內較好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半。

 

SiB455EDK具有超低的導通電阻,在4.5 V2.5 V1.8 V1.5 V下的導通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ,比前一代領先的12V P溝道器件在4.5 V2.5 V1.8 V下的導通電阻分別低55%52%39%

 

MOSFET可用做手機、智能手機、PDAMP3播放器等手持設備中的負載、功放和電池開關。SiB455EDK的低導通電阻意味著更低的導通損耗,小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠將節省下來的空間用于實現其他功能,或是讓終端產品變得更加小巧。

 

新器件也是僅有的同時具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導通的12V MOSFET,因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅動電壓波動的應用中,同時也為更小的輸入電壓提供更安全的設計。

 

為減少由ESD引起的現場故障,器件的典型ESD保護電壓高達1500VMOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定和RoHS指令2002/95/EC

 

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品,將在2010年第一季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。

 

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器)的較大制造商之一,這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及一站式服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com

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