全新的研究成果將有力推動可擴展式大容量相變存儲產品的開發

相變存儲 (PCM) 是一項結合了現今多種存儲產品類型的不同優點的非易失性內存技術，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM  陣列的 64Mb 測試芯片，對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應用而言，這些發現有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。

上述發現是 Numonyx 與 Intel 長久以來共同進行的一項研究計劃的成果，該計劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。雙方的研究人員如今已能夠演示垂直一體化的存儲單元 —— PCMS (相變存儲及開關)。PCMS 包含一個 PCM 組件，此組件與全新使用的雙向閾值開關 (OTS) 堆棧于真正的交叉點陣列中。這一能夠堆棧 PCMS 陣列的能力可實現更高存儲容量的可擴展性，同時維持 PCM 的效能特性，而這對于傳統的內存技術而言則是巨大的挑戰。

Numonyx 資深技術研究員 Greg Atwood 表示：“這些研究成果具有相當光明的前景，顯示了未來 PCM 產品可達到的更高容量、可擴展式陣列及類 NAND 使用模式等。由于傳統的閃存技術面臨某些實體限制和可靠性等問題，且存儲產品在從手機到數據中心等應用中都有著日益增長的需求，這些成果更顯得彌足珍貴。”

Intel 研究員兼存儲技術開發總監 Al Fazio 表示：“我們持續進行著內存技術的開發，希望借此提升計算平臺的性能。我們對于這一里程碑式的研究成果感到相當振奮。PCMS 等內存技術在未來對于擴大存儲器在計算解決方案中的重要性、提升性能和可擴展性將有著相當重要的意義。”

存儲單元是由堆棧存儲組件及選擇器所組成，并且具有多個組成存儲陣列的單元。Numonyx 與 Intel 的研究人員已經能夠部署薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴展所需的實體及電特性要求。憑借薄膜 PCMS 的兼容性，如今已能夠建立多層的交叉點存儲陣列。一旦經過整合及嵌入真正的交叉點陣列后，多層陣列便可結合 CMOS 電路的解碼、感知及邏輯功能。

更多關于存儲單元、交叉點陣列、實驗及成果的信息將刊登于題為《堆棧式交叉點相變存儲》的共同文件中，并將于 2009 年 12 月 9 日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國際電子器件會議 (Internatinal Electron Devices Meeting) 上發表。此文件由 Numonyx 與 Intel 雙方的技術人員合著，屆時將由 Intel 資深首席工程師 DerChang Kau 發表。

關于恒憶 (Numonyx)

恒億設計、制造各種集成化的NOR、NAND和相變非易失性存儲器技術和產品，滿足手機和嵌入式設計日益復雜化的市場需求。由英特爾和意法半導體的閃存產品部合并而成，融兩大半導體巨人的存儲技術和制造工藝于一身，恒憶致力于為全球客戶提供高密度、低功耗的存儲技術和封裝解決方案。恒憶公司詳情訪問 www.numonyx.com. 

關于英特爾 ( Intel)

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