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IR推出150V和200V MOSFET為工業應用提供極低的閘電荷

2009年08月18日10:15:20 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T
關鍵字:應用 半導體 通信 電源 

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關模式電源 (SMPS) 、不斷電系統 (UPS)、反相器和DC馬達驅動器等工業應用提供極低的閘電荷 (Qg)。

與其它競爭器件相比,IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷,則比競爭器件的降低了多達33%。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“隨著DC-DC功率轉換應用技術的日益進步,開關頻率也有所提高,輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰做出了優化,所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關,或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”

這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度 (MSL1) 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝,皆為無鉛設計,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 指令。

產品的基本規格:

器件編號

封裝

電壓 V

Id A

較大RDSon mOhms

Qg nC

IRFB4615PBF

TO220

150

35

39

26

IRFS4615PBF

D2PAK

150

35

39

26

IRFSL4615PBF

TO262

150

35

39

26

IRFB4620PBF

TO220

200

25

72.5

25

IRFS4620PBF

D2PAK

200

25

72.5

25

IRFSL4620PBF

TO262

200

25

72.5

25

現在這些器件已向市場供應。欲了解更多數據,請訪問IR網站www.irf.com。

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