Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的額定電壓，在10V柵極驅動下的較大導通電阻僅有0.27Ω。低R_DS(on)意味著更低的傳導損耗，從而為各種電子系統(tǒng)中的功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PMW)應用節(jié)約能量，這些應用包括LCD TV、PC機、服務器、通信系統(tǒng)和焊接機器。

除了低導通電阻，這些器件的柵電荷只有65nC。柵電荷與導通電阻的乘積是評價用于功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數(FOM)，這些器件的品質因數只有17.75。

為提高操作的可靠性，器件經過了100%的雪崩測試，可承受高單脈沖(E_AS)和反復(E_AR)雪崩能量。器件可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電流。所有這三款器件均具有有效的輸出電容規(guī)格。與前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨導和反向恢復特性上也有所改進。

關鍵器件指標：

SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供無鉛端子，采用TO-220和FULLPAK封裝。SiHG20N50C提供無鉛的TO-247封裝。新器件現可提供樣品，將于2009年第三季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。