Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款在一個PowerPAK^®  MLF6x6封裝內集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時提供了高壓側和低壓側的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅動器IC。SiC769分別提供針對3.3V和5V控制器的兩個型號，完全符合服務器和桌面計算機、圖形卡、工作站、游戲控制臺和其他高功率的CPU系統中電壓穩壓器的DrMOS規范。器件使操作頻率可超過1MHz，從而降低多相VR拓撲的尺寸和成本。

SiC769采用3V～16V的輸入電壓，可輸出較高達35A的連續輸出電流。集成的功率MOSFET對0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優化，標稱輸入電壓為12V。SiC769還可以在5V輸出下，為ASIC應用提供非常高的功率。

SiC769先進的柵極驅動IC接收來自VR控制器的一個PWM輸入，把它轉換成高壓側和低壓側MOSFET柵極驅動信號。PWM輸入與所有的控制器兼容，尤其是支持帶有三態PWM輸出功能的控制器。驅動IC中的電路能夠自動探測輕負載情況，然后自動啟動系統中的跳頻模式操作(SMOD)，該模式可提高輕負載條件下的效率。自適應的死區時間控制能夠進一步地提高效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護，熱報警功能可在結溫過高時對系統發出報警信號。

SiC769中集成的驅動IC和功率MOSFET降低了功率損耗，減輕了與高頻分立功率級相關的寄生阻抗的影響。SiC769還采用了先進的封裝，與競爭技術相比，將封裝中的功率損耗減少了30%。設計者可以對高頻開關進行優化，改善瞬態響應，節約輸出濾波器器件的成本，并實現在多相Vcore應用中較高的功率密度。這樣可以節約PCB面積，為使用者的核心競爭技術提供更多的施展空間。

SiC769現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。