Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅動下的較大導通電阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。憑借這些性能規格，新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P溝道家族的較新成員--實現了在這個電壓等級和占位下較低的導通電阻。

Si7145DP采用PowerPAK^® SO-8封裝，可用作適配器開關，以及筆記本電腦和工業及通用系統中的負載切換應用。器件的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，使Si7145DP能夠更好地節約電能，延長充電間隔之間的電池壽命。這個特性在適配器開關中尤其重要(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)，因為適配器開關是一直導通并且要汲取電流。

而競爭對手較好的采用SO-8占位的30V P溝道器件，在10V和4.5V電壓下的較大導通電阻分別為3.1mΩ和4.3mΩ，比Si7145DP高16%和13%。

Vishay Siliconix是業內第一家引入Trench功率MOSFET的供應商。該公司的TrenchFET知識產權包括眾多專利，包括可追溯自20世紀80年代早期的基礎技術專利。每一代新TrenchFET技術都會將計算、通信、消費電子和許多其他應用中功率MOSFET的性能提升到一個新的等級。

器件完全通過了Rg和UIS測試，并且不含鹵素。

Vishay在2009年還將發布多款第三代P溝道TrenchFET功率MOSFET，提供更多的電壓等級范圍和更多的封裝選項。更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

Si7145DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。