賽米控為現(xiàn)有SEMITOP^® IGBT產(chǎn)品線推出一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用于三電平逆變器。該結(jié)構(gòu)將IGBT技術(shù)與較低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗相結(jié)合，與兩電平逆變器相比，損耗減少60%。與半橋模塊相比，該SEMITOP^®模塊是專為低換流電感率而設(shè)計(jì)。DC/AC轉(zhuǎn)換效率得到了提高，可用于功率等級(jí)為5-80kVA的UPS。

三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案，因?yàn)橛靡粋�(gè)單一模塊取代標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)模塊。三電平逆變器在結(jié)構(gòu)上由一系列串聯(lián)的IGBT來(lái)實(shí)現(xiàn)，這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓。通過(guò)連接三個(gè)這樣的模塊，有可能實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的具有較高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。由于其正弦輸出波形，有可能減少諧波和所需的輸出濾波器。與標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋逆變器相比，三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%。

600V的IGBT反向阻斷電壓下，額定電流為20-150A。在電源應(yīng)用中，模塊運(yùn)行時(shí)的輸入功率在5-80kVA。用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝：SEMITOP^® 3（55x31mm²），用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP^® 4（60x55mm²），用于額定電流為75-150A的模塊。

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