業界首款帶集成電流保護和高速ESD保護的USB 2.0過壓保護器件
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出業界首款帶集成電流保護和高速靜電放電(ESD)保護的過壓保護(OVP)器件——NCP362,用于便攜、電信、消費和計算系統中的USB 2.0應用。
這集成器件加強USB端口的安全性,簡化便攜電子產品的設計,不需要使用獨立的OVP、過流保護(OCP)及瞬態電壓抑制器(TVS)等元件; NCP362未面市前,設計人員仍需要采用這些元件來保護易受影響的便攜設備,使其免受源于USB主設備(host)、墻式適配器、人體及不恰當的修配用零件市場的交流-直流(AC-DC)適配器的電氣浪涌損傷及放電脈沖影響。
特性及優勢
新的NCP362置于USB或底部連接器后面,由于具備能夠處理500毫安(mA)電流的集成功率MOSFET,為下行USB端口提供+20伏特(V)的前端保護。
由于USB線纜中存在串行電感,長的USB線纜中可能產生振鈴(ringing),所以NCP362的設計,可在電壓瞬態超過內部設定為5.675 V的內部過壓閾值(OVLO)時,使VBUS線路開路。如果特定應用需要不同閾值,還能采用金屬調整(metal tweak)來改變這閾值。此外,NCP362還提供OCP,如果下行VBUS的負載超過750 mA,內部MOSFET就會開路,且支持USB端口 500 mA的持續電流。這電流鉗位值也能調節至較低的值,配合100 mA單端口或雙端口。
NCP362的OVP和OCP速度都非常快,響應時間短于100納秒(ns),為下行收發器、電池充電器件或要充電的鋰離子電池提供高效的保護水平。此外,NCP362提供系統級IEC 61000-4-2 ±15千伏(kV) ESD保護。這器件集成高速ESD二極管用于數據線路(D+和D-)保護,和TVS用于USB端口的VBUS引腳保護。由于集成的ESD二極管的電容極低,僅為0.5皮法(pF),因而NCP362符合USB 2.0協定。NCP362x包含不同的器件型號,但都采用相同封裝,根據所選擇的具體器件型號的不同(參見產品數據表中的訂購表),封裝中都集成了VBUS TVS或D+/D- (或集成兩者)。
NCP362是安森美半導體針對便攜應用四個常見主要子系統產品陣容新增的主角。這器件尤其解決互連子系統具挑戰的要求。除了互連子系統 ,安森美半導體還提供用于便攜設備中的顯示和照明、電源管理和音/視頻三個主要子系統的方案。
封裝和價格
NCP362xMTBG采用2 mm x 2.5 mm x 0.55 mm DFN、無鉛、符合RoHS指令的封裝,每3,000片批量的預算單價為0.42美元。
更多信息請訪問www.onsemi.cn或聯系Helene Acrosse(電郵:Helene.Acrosse@onsemi.com)。
關于安森美半導體(ON Semiconductor)
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列,是電源、汽車、通信、計算機、消費產品、醫療、工業、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高能效硅方案供應商。公司廣泛的產品系列包括電源、模擬、數字信號處理器(DSP)、混合信號、先進邏輯、時鐘管理、非易失性存儲器和標準元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務網絡。欲查詢公司詳情,請瀏覽安森美半導體網站:www.onsemi.cn。
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