SAN FRANCISCO—三星電子公司4月21日表示，由于英特爾公司Xeon處理器5500系列的推出，對50納米級的DDR3內(nèi)存芯片的需求也大幅度的增加。

DDR3是第三代雙倍速同步內(nèi)存。三星和其他生產(chǎn)廠商都認為在今年底，DDR3將成為主流DRAM技術(shù)。一些分析家，其中包括Needham &Co公司的分析師莫克(Edwin Mok)則認為，DDR3在今年將不能占有有意義的市場份額。

三星（韓國）表示，OEM廠商絕大多數(shù)都把他們的DDR3應(yīng)用于服務(wù)器領(lǐng)域，每個服務(wù)器的內(nèi)存較大可以擴展到192GB，而且在雙路服務(wù)器系統(tǒng)（速度可達每秒133mb）中，還改善了耗電量，可以降低60%的功耗，性能比之前的DDR2提升很多。

三星公司美國內(nèi)存營銷副總裁Jim Elliott在三星半導(dǎo)體公司一份聲明中提到“配合Xeon處理器5500系列的使用，在幾乎所有企業(yè)級服務(wù)器應(yīng)用中，DDR3內(nèi)存有可能顯著提高其數(shù)據(jù)交換的速率。”

就在上月，英特爾公司推出了原代號為Nehalem 的45納米Xeon 5500系列處理器，其處理器是針對于服務(wù)器的。Xeon 5500芯片集成了內(nèi)存控制器和高速互連功能。

據(jù)三星公司表示，第四十個50納米級的三星DDR3解決方案已經(jīng)成功的應(yīng)用于英特爾5500處理平臺上。而且三星的DDR3設(shè)備，已通過英特爾的驗證程序，其中包括： 1-，2 GB的內(nèi)存芯片，以及1 - ， 2 - ， 4 - ， 8 -和16 GB的注冊雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM內(nèi)存）和1 - ， 2 -和4 - GB的無緩沖DIMM內(nèi)存。

新認證的DDR3芯片按照每秒運行時速可分為800-，1066-和1333MB三個型號，而且在1333Mbps下，和60納米級的DDR3內(nèi)存芯片相比，可省電百分之四十。