意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管
中國,2017年5月26日——意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度,已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管,可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計,同時將頂部的源極曝露在外面,以進一步提升散熱效率,這樣設(shè)計讓內(nèi)部芯片有更高的額定輸出電流,提高功率密度,讓設(shè)計人員能夠研發(fā)更小的電控單元,而無需在功能、性能和可靠性之間做出取舍。
新產(chǎn)品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的較大漏極電流120A,較大導通電阻分別為1.5
mΩ和3.0 mΩ,保證高能效,簡化系統(tǒng)熱管理。此外,總柵電荷分別為172nC和91nC,器件本身電容很低,有助于在高速開關(guān)時提高能效。
這兩款40V MOSFET器件是意法半導體一個新產(chǎn)品家族的首批產(chǎn)品,采用意法半導體的STripFET™ F6技術(shù)和槽柵結(jié)構(gòu),額定電流和電壓范圍寬廣,適用于汽車產(chǎn)品。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環(huán)境,包括較高175°C的發(fā)動機艙。這些產(chǎn)品100%經(jīng)過雪崩額定值測試,其封裝的可潤濕側(cè)翼引線可實現(xiàn)較佳焊接效果,100%支持自動光學檢查。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過AEC-Q101認證,即日上市。此外,該產(chǎn)品家族今年還將推出STripFET
F7產(chǎn)品。
如需了解更多產(chǎn)品詳情,請訪問www.st.com/mosfets
關(guān)于意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領(lǐng)先的半導體公司,提供與日常生活息息相關(guān)的智能的、高能效的產(chǎn)品及解決方案。意法半導體的產(chǎn)品無處不在,致力于與客戶共同努力實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居,以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。享受科技、享受生活,意法半導體主張科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。
意法半導體2016年凈收入69.7億美元,在全球擁有10萬余客戶。詳情請瀏覽意法半導體公司網(wǎng)站:www.st.com
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