全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用
德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS™技術產品陣容,推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V,具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。
600 V CoolMOS P7:高效率和易用性的優化組合
新推出的P7樹立效率標桿并具備更高的性價比,可大大簡化設計。該器件的目標應用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務器、電信和電動汽車充電等,其功率級別從100 W到15 kW不等。在不同的拓撲中,600 V CoolMOS P7能夠將目標應用的效率提高1.5%,并且,相比競爭產品而言,工作溫度較多可降低4.2 °C。
表面貼裝(SMD)和通孔封裝型號的導通電阻RDS(on) 范圍均為37 - 600 mΩ,因此,600 V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應用。此外,超過2 kV(HBM)的出色的防靜電能力可保護器件免受生產中的靜電放電損壞,從而有效提高制造品質。較后,堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件。
600 V CoolMOS C7 Gold(G7):一流的FOM采用創新型無引線SMD TO封裝
G7具備較低的導通電阻RDS(on)、較小的柵極電荷QG,同時存儲于輸出電容的能量減少,并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以較大限度降低PFC和LLC電路中的損耗,并將性能提升0.6%,同時提高PFC電路的滿載效率。G7只有1 nH的極低源極寄生電感,也有助于提高效率。
G7采用無引線TO封裝,熱性能得以改善,適用于大電流的設計,同時SMD工藝有助于降低安裝成本。此外,600 V G7具備業界較低的導通電阻RDS(on) ,從28 mΩ到150 mΩ不等。相比傳統的D2PAK封裝而言,該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性,使該器件成為服務器、電信、工業和太陽能等應用領域實現較高效率并樹立功率密度標桿的理想選擇。
供貨情況
600 V CoolMOS P7與600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已開始批量生產,可訂購樣品。了解更多信息請訪問:www.infineon.com/600v-p7和www.infineon.com/c7-gold-toll.
關于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2016財年(截止9月30日),公司的銷售額達65億歐元,在全球范圍內擁有約36,300名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。
英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約2000名員工,已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。
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