艾邁斯半導體推出具有卓越噪聲性能的A30新型高性能模擬技術
全球領先的高性能傳感器和模擬IC供應商艾邁斯半導體(ams AG,瑞士股票交易所股票代碼:AMS)今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝(“A30”)。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能,并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導體高級0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產品的0.9倍。
A30技術包括性能優化的絕緣3.3V器件(NMOSI和PMOSI)、絕緣3.3V低壓器件(NMOSIL和PMOSIL)、一個具有薄柵氧化層厚度的絕緣高壓器件((NMOSI20T)、垂直雙極型晶體管(VERTN1和VERTPH)以及一個絕緣3.3V超級低噪聲晶體管(NMOSISLN),可以提供0.46 pA/ÖHz水平的閃爍噪聲(@ 1kHz,ID = 1μA @ Vds = 3V,10x1.2μm2)。與H35制程工藝相比,可以降低高漏電流的閃爍噪聲至少4至10倍。整個器件還包括各種電容(聚酯電容、插入式電容和MOS電容)和電阻(擴散電阻、阱電阻、聚酯電阻、高阻聚酯電阻和精密電阻)等無源器件。
A30制程工藝非常適用于超低噪聲傳感應用和需要噪聲優化輸入級或高信噪比的模擬讀出集成芯片,可為消費類電子產品、汽車、醫療和物聯網設備開發出創新型的解決方案。A30制程工藝由艾邁斯半導體先進的200mm制造工廠制造并全面檢測,可確保極低的缺陷密度和較高產量。所有0.30μm元件均按照0.35μm器件繪制并驗證。在光罩車間內根據完整的GDSII數據進行制程微縮(0.9倍),使得單位面積的晶圓可以生產出更多尺寸較小的芯片。
艾邁斯半導體晶圓代工事業部總經理Markus Wuchse表示:“我們的A30高性能模擬低噪聲制程工藝可以幫助開發出更具競爭力的傳感應用和模擬讀出集成芯片,噪聲性能優越是其一大關鍵。代工客戶利用A30制程工藝生產復雜的集成芯片可以獲得雙重收益,超低噪聲晶體管具有行業標準的閃爍噪聲系數,提高了性能,而光學收縮又大大減少了噪聲敏感應用的芯片面積!
A30制程工藝由艾邁斯半導體知名的行業設計套件hitkit提供支持。基于Cadence公司的Virtuoso®定制集成芯片技術6.1.6,新的hitkit套件可幫助設計團隊大幅縮減競爭激烈的密集模擬混合信號產品的上市時間。新的hitkit套件具備高精確仿真模型和基于Calibre和Assura以及靈活的SKILL參數單元(PCells)的提取和驗證運行設置,可提供全面的設計環境和成熟的硅路線,F在,如需獲得支持A30制程工藝的4.15版新hitkit套件,可登錄晶圓代工支持服務器http://asic.ams.com/hk415。
獲取更多有關艾邁斯半導體晶圓代工事業部的全面服務和技術組合信息,請訪問www.ams.com/foundry。
關于艾邁斯半導體
艾邁斯半導體公司設計和制造高性能模擬傳感器解決方案。公司愿景是通過更高級別的傳感器解決方案提供無縫的人機交互,打造完美世界。艾邁斯半導體的產品主要針對高精度、寬動態范圍、高靈敏度、超低功耗需求的應用。艾邁斯半導體為計算機、消費、工業、醫療、移動通訊和汽車市場的客戶提供包括傳感器、傳感器接口、電源管理IC和無線IC在內的產品。
艾邁斯半導體公司總部位于奧地利,全球員工超過2,200人,為遍布全球的8,000多家客戶提供服務。艾邁斯半導體在SIX瑞士證券交易所上市(股票代碼——瑞士股票交易所:AMS)。了解更多信息,請訪問:www.ams.com
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