中國，2015年11月9日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能較大化，同時提升工作穩健性和安全系數。MDmesh^TM K5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是較大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自動化等工業自動化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的較佳選擇。

意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術提升至一個全新的水平，單位面積同態電阻（R_ds(on)）和柵電荷量（Q_g）均創市場較低，并擁有業界較佳的FoM（質量因數）[1]。新產品是時下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式轉換器以及LLC[2]半橋式轉換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款產品是STW12N150K5和STW21N150K5，其較大漏源電流分別達到7A和14A，柵電荷量僅為47nC（STW12N150K5）或通態電阻僅為0.9Ω（STW21N150K5）。兩款產品均已量產，采用TO-247封裝。

欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/mdmeshk5

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意法半導體2014年凈收入74.0億美元，在全球各地擁有10萬客戶。詳情請瀏覽意法半導體網站www.st.com。