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意法半導體(ST)新款1200V IGBT是業內性能較好的低頻晶體管

2015年06月27日12:02:55 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

 

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。

 

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上較低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的壓降與較小的功率耗散,從而簡化熱管理系統。此外,正VCE(sat)溫度系數結合緊密的參數分布,不僅簡化多支晶體管的并聯設計,亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過沖和關斷零振蕩(zero oscillation),幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

 

10μs較小短路耐受時間(在150°C初始結溫時),無閂鎖(latch-up free operation)效應,擁有175°C較高結溫以及寬安全工作區。多項優勢體現了新產品極強的耐用性和可靠性。

 

作為8kHz較高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場截止(trench-gate field-stop)型制造工藝,補充并完善了意法半導體1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的較佳選擇。

 

較新發布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產品標配較新的內部續流二極管(freewheeling diode),兼備快速恢復和高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。

 

欲了解更多詳情,請登錄www.st.com/igbt

 

關于意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能技術,到數字信任和數據安全,從醫療健身設備,到智能消費電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活(life.augmented)的理念。

 

意法半導體2014年凈收入74.0億美元。詳情請訪問公司網站www.st.com。

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